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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种单片集成GaN基高压功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121218676B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511737383.5，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种单片集成GaN基高压功率器件及其制备方法是由卢双赞;潘嘉杰;李思超;向诗力;尹雪兵;高金锋;贾汉祥;程涛;柳俊设计研发完成，并于2025-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单片集成GaN基高压功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种单片集成GaN基高压功率器件及其制备方法，制备方法包括：S1.获取SiC衬底，在SiC衬底的一侧依次生长缓冲层和外延层，得到SiC外延片；S2.在SiC外延片上外延层的一侧外延导电缓冲层，并在导电缓冲层上外延GaN异质结层，得到混合外延片；S3.将混合外延片的表面定义出HEMT区和FinFET区，在FinFET区上制备图形化硬掩模，在HEMT区上构建HEMT器件；S4.去除硬掩模，图案化蚀刻，沉积金属电极，得到FinFET器件，构建沟槽，得到单片集成GaN基高压功率器件。本发明在缓冲层下方引入GaN异质结层，可以减小低压侧器件沟道区域的电场强度，实现GaN器件之间的电气隔离。

本发明授权一种单片集成GaN基高压功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单片集成GaN基高压功率器件的制备方法，其特征在于，包括： S1.获取SiC衬底，在所述SiC衬底的一侧依次生长SiC缓冲层和n-SiC外延层，得到SiC外延片； S2.在所述SiC外延片上n-SiC外延层的一侧外延导电缓冲层，并在导电缓冲层上外延GaN异质结层，得到SiCGaN混合外延片； S3.将SiCGaN混合外延片的表面定义出HEMT区和FinFET区，在FinFET区的SiCGaN混合外延片上制备图形化硬掩模，在HEMT区的SiCGaN混合外延片上依次堆叠缓冲层、沟道层、势垒层和帽层以构建HEMT器件； S4.去除硬掩模，对FinFET区的导电缓冲层和GaN异质结层进行图案化蚀刻，对所述帽层进行图案化蚀刻，沉积金属形成电极，得到FinFET器件，在所述HEMT器件和所述FinFET器件之间构建沟槽，得到单片集成GaN基高压功率器件； 其中，所述SiC缓冲层和所述n-SiC外延层为具有梯度掺杂的SiC，采用渐变掺杂工艺外延得到，工艺温度为1400℃-1800℃，载流子浓度为1×1015cm-3-2×1016cm-3。

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