深圳市大族微电子科技有限公司吴鸿新获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市大族微电子科技有限公司申请的专利基于玻璃基板的通孔的制备方法、玻璃基板及其中间体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121225886B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511746126.8，技术领域涉及：C03C15/00；该发明授权基于玻璃基板的通孔的制备方法、玻璃基板及其中间体是由吴鸿新;邓飞雄;孙涛;陈国栋;吕洪杰;杨朝辉设计研发完成，并于2025-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于玻璃基板的通孔的制备方法、玻璃基板及其中间体在说明书摘要公布了：本申请属于微纳加工技术领域，具体涉及一种基于玻璃基板的通孔的制备方法、玻璃基板及其中间体，该制备方法包括：对玻璃基板的目标区域进行激光处理，以在目标区域形成改性区；对经过激光处理的玻璃基板进行化学处理，以在玻璃基板表面形成钝化层，其中，改性区对应的钝化层形成为第一钝化层，在改性区以外的非改性区对应的钝化层形成为第二钝化层；第一钝化层的密度小于第二钝化层的密度；对经过化学处理的玻璃基板进行刻蚀，以基于改性区形成通孔。本申请可以突破刻蚀液的各向同性刻蚀限制，工艺简单，无需调整过多工艺参数就能实现高深径比通孔的加工，成本较低，应用范围广。
本发明授权基于玻璃基板的通孔的制备方法、玻璃基板及其中间体在权利要求书中公布了：1.一种基于玻璃基板的通孔的制备方法，其特征在于，包括： 对玻璃基板的目标区域进行激光处理，以在目标区域形成改性区； 对经过激光处理的所述玻璃基板进行化学处理，以在所述玻璃基板的表面形成氟化物钝化层，其中，所述改性区对应的所述氟化物钝化层形成为第一钝化层，在所述改性区以外的非改性区对应的所述氟化物钝化层形成为第二钝化层，所述第一钝化层的密度小于所述第二钝化层的密度； 对经过化学处理的所述玻璃基板进行刻蚀，以基于所述改性区形成通孔； 其中，对经过激光处理的所述玻璃基板进行化学处理，以在所述玻璃基板的表面形成氟化物钝化层，包括： 对激光处理后的所述玻璃基板进行离子吸附，以在玻璃基板表面形成化学过渡层； 对离子吸附后的所述玻璃基板进行氟化反应，以在玻璃基板的表面生成氟化物钝化层。
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