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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种一维超薄有机单晶阵列薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121240742B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511778186.8，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种一维超薄有机单晶阵列薄膜及其制备方法和应用是由张钰;郑昕;颜林;杨兴龙设计研发完成，并于2025-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种一维超薄有机单晶阵列薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于有机半导体材料制备技术领域，公开了一种一维超薄有机单晶阵列薄膜及其制备方法和应用，一维超薄有机单晶阵列薄膜的制备方法包括以下步骤：通过十八烷基三氯硅烷或全氟硅烷对基板进行图案化处理，然后滴加第一有机半导体溶液，采用刮刀进行第一次刮涂，随后滴加第二有机半导体溶液，采用刮刀进行第二次刮涂，得到一维超薄有机单晶阵列薄膜；制备得到的一维超薄有机单晶阵列薄膜的厚度为1nm‑15nm。本发明实现一维有机单晶阵列的稳定形成与薄膜超薄化、高取向度的精准控制，工艺适配工业化大规模生产，为高性能有机电子器件的研发与应用提供了可靠技术支撑。

本发明授权一种一维超薄有机单晶阵列薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种一维超薄有机单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 通过十八烷基三氯硅烷对基板进行图案化处理，然后滴加第一有机半导体溶液，采用刮刀进行第一次刮涂，随后滴加第二有机半导体溶液，采用刮刀进行第二次刮涂，得到所述一维超薄有机单晶阵列薄膜； 所述一维超薄有机单晶阵列薄膜的厚度为1nm-15nm； 第一有机半导体溶液的溶质为有机半导体，所述有机半导体为DTT-8，溶剂为有机挥发性溶剂；第二有机半导体溶液的溶质和溶剂与第一有机半导体溶液相同；所述第二有机半导体溶液中添加有氟碳类表面活性剂，所述氟碳类表面活性剂的浓度为0.001mgmL-0.002mgmL； 所述第一有机半导体溶液的浓度为0.5mgmL-5mgmL，所述第二有机半导体溶液的浓度为0.1mgmL-1mgmL； 所述第一次刮涂的刮刀移动速度为30μms-50μms，所述第二次刮涂的刮刀移动速度为10μms-20μms； 所述图案化处理包括以下步骤：将所述十八烷基三氯硅烷滴在弹性印章的表面，通过干燥将所述十八烷基三氯硅烷吸附在所述弹性印章表面；将所述弹性印章与所述基板接触，所述十八烷基三氯硅烷从所述弹性印章转移到所述基板表面，形成图案化的亲水和疏水区域。

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