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龙图腾网获悉深圳市星耀半导体有限公司申请的专利一种固态存储设备的数据纠错方法及设备、存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121260220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511802437.1，技术领域涉及：G11C29/42；该发明授权一种固态存储设备的数据纠错方法及设备、存储介质是由李志龙;黄祥设计研发完成，并于2025-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种固态存储设备的数据纠错方法及设备、存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供一种固态存储设备的数据纠错方法及设备、存储介质，包括：获取固态存储设备中多个不同数据分区的数据读写特征；针对每一数据分区，将数据读写特征输入至固态存储设备的LDPC参数预测模型，并接收LDPC参数预测模型输出的目标LDPC参数，其中，将目标LDPC参数代入LDPC参数预测模型中的纠错代价函数确定出的纠错代价值最小；利用目标LDPC参数，对相应数据分区进行数据纠错处理。本申请实施例基于固态存储设备中数据分区的数据读写特征，利用LDPC参数预测模型，对纠错代价值最小的LDPC参数进行预测，使得LDPC参数可基于数据读写特征的不同而动态调整，以提高数据纠错效率，并且纠错代价更小。

本发明授权一种固态存储设备的数据纠错方法及设备、存储介质在权利要求书中公布了：1.一种固态存储设备的数据纠错方法，其特征在于，所述固态存储设备的数据纠错方法包括： 获取固态存储设备中多个不同数据分区的数据读写特征； 针对每一数据分区，将所述数据读写特征输入至所述固态存储设备的LDPC参数预测模型，并接收所述LDPC参数预测模型输出的目标LDPC参数，其中，在多个LDPC参数中，将所述目标LDPC参数代入所述LDPC参数预测模型中的纠错代价函数确定出的纠错代价值最小； 利用所述目标LDPC参数，对相应数据分区进行数据纠错处理； 所述LDPC参数预测模型通过以下步骤来生成： 获取第一历史时段的第一历史数据读写特征，以及所述第一历史数据读写特征对应的第一历史目标LDPC参数； 将所述第一历史数据读写特征，输入至预设的初始模型，以供所述初始模型输出预测LDPC参数； 将所述预测LDPC参数代入所述LDPC参数预测模型中的纠错代价函数，得到第一纠错代价值，以及将所述第一历史目标LDPC参数代入所述LDPC参数预测模型中的纠错代价函数，得到第二纠错代价值； 根据所述第一纠错代价值与所述第二纠错代价值之差，对所述初始模型中的模型参数进行参数调优处理，从而得到所述LDPC参数预测模型； 所述目标LDPC参数中包括码长、准循环码扩展因子、校验矩阵列重量； 所述纠错代价函数确定出的纠错代价值，基于冗余开销、解码延迟、纠错失败率之间的加权求和结果来确定； 其中，所述冗余开销基于所述码长和准循环码扩展因子来确定，所述解码延迟基于所述码长和准循环码扩展因子来确定，所述纠错失败率基于第一历史时段的历史纠错失败率来拟合得到； 所述初始模型中的模型参数包括：用于输出所述预测LDPC参数的梯度提升决策树的超参数，以及对所述冗余开销、所述解码延迟、所述纠错失败率进行加权求和时采用的权重。

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