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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种安氏II类错颌治疗方案快速拟定方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121260369B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511826578.7，技术领域涉及：G16H20/40；该发明授权一种安氏II类错颌治疗方案快速拟定方法及系统是由匡文颖;袁文钧;郑洁;汪鑫;吴棠设计研发完成，并于2025-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种安氏II类错颌治疗方案快速拟定方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开一种安氏II类错颌治疗方案快速拟定方法及系统，属于口腔正畸学领域，包括：获取头影测量数据和模型测量数据，并为每项数据分配唯一变量代号；基于获取的各牙冠宽度，计算所有上下颌拔牙组合对应的拔牙间隙值；基于分配唯一变量代号后的数据及拔牙间隙值，对关键参数建立约束条件；对上颌与下颌的所有拔牙组合进行逐一计算，筛选满足所述约束条件的Z个治疗方案候选组合，并输出对应的参数计算结果。本发明不仅能够提供更加精准的治疗方案，而且能够在临床实践中有效降低决策的不确定性，帮助临床医生通过量化分析判断是否需要拔牙、支抗选择等关键治疗决策，从而辅助临床决策的制定，提升治疗规划的科学性和精准性。

本发明授权一种安氏II类错颌治疗方案快速拟定方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种安氏II类错颌治疗方案快速拟定方法，其特征在于，包括： S1、获取头影测量数据和模型测量数据，并为每项数据分配唯一变量代号； 获取头影测量数据：上切牙轴线与前颅底平面的夹角a1、下切牙轴线与下颌平面的夹角a2以及上下前牙夹角a3； 获取模型测量数据：上下颌牙冠总宽度比m1、上颌拥挤度m2、下颌拥挤度m3、Spee曲度m4、覆盖m5、双侧磨牙远中关系值m6以及各牙冠宽度；所述各牙冠宽度包括上颌右侧、上颌左侧、下颌右侧以及下颌左侧； S2、基于模型测量数据中的各牙冠宽度，计算所有上下颌拔牙组合对应的拔牙间隙值； 计算下颌拔除2牙后的拔牙间隙值 x1：  x1=wLRiL+wLLjLiL,jL∈{1,2,3,4,5,6} 其中，下颌拔牙候选组合iL，jL分别取自下颌右侧与下颌左侧牙位；wLRiL表示下颌右侧所拔牙的牙冠宽度，wLLjL表示下颌左侧所拔牙的牙冠宽度； 计算上颌拔除2牙后的拔牙间隙值x8： x8=wURiU+wULjUiU,jU∈{1,2,3,4,5,6} 其中，上颌候选组合iU，jU分别取自上颌右侧与上颌左侧牙位；wURiU表示上颌右侧所拔牙的牙冠宽度，wULjU表示上颌左侧所拔牙的牙冠宽度； S3、基于分配唯一变量代号后的数据及拔牙间隙值，对关键参数建立约束条件；其中，所述关键参数，包括切牙内收角度、切牙内收所需间隙、覆盖量、上下前牙夹角、切牙角度以及Spee曲度；对关键参数建立约束条件，包括： 建立下切牙的约束条件为： 治疗后下切牙角度x3满足：x385°且x3100°； 下切牙内收角度x2满足：x2=a2-x3； 下切牙内收所需间隙x4满足：x4=0.6×x2； 建立Spee曲度的约束条件为： 整平Spee曲度所需间隙x5满足：x4+m3+x5+x6=x1；其中，x6为下颌磨牙前移间隙； 建立上颌磨牙和下颌磨牙的约束条件为：x9=x6-m6；其中，x9为上颌磨牙移动距离； 建立上切牙的约束条件为： 上切牙内收所需间隙x10满足：m2+x9+x10=x8； 上切牙内收角度x11满足：x11=x100.8； 治疗后覆盖量x12满足：x12=m5+x42-x102； 治疗后覆盖量x12的范围满足：x12＞0且x123； 建立上下前牙夹角和上切牙角度的约束条件为： 治疗后上下前牙夹角x13满足：x13=a3+x2+x11； 治疗后上切牙角度x14满足：x14=a1-x11； 治疗后上下前牙夹角x13的范围满足：x13＞125°且x13140°； 治疗后上切牙角度x14的范围满足：x14＞90°且x14110°； 建立整平后Spee曲度的约束条件为：m4-x5＞0且m4-x52； S4、基于所述约束条件，对上颌与下颌的所有拔牙组合进行逐一计算，筛选满足所述约束条件的多个治疗方案候选组合，并输出对应的参数计算结果。

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