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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十四研究所;北京邮电大学申请的专利一种基于MEMS可切换延迟线的太赫兹超表面反射单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121261118B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511804563.0，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种基于MEMS可切换延迟线的太赫兹超表面反射单元是由张乃柏;王子莱;黄建明;侯皓喆;崔岩松;任维政;李依桐设计研发完成，并于2025-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于MEMS可切换延迟线的太赫兹超表面反射单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于MEMS可切换延迟线的太赫兹超表面反射单元，属于射频前端器件领域。该单元采用上下层玻璃基板与中间键合金属面的三明治结构，上层表面集成有金属辐射贴片、相位延迟线和MEMS开关。其核心是通过MEMS开关控制相位延迟线的通断状态：当开关断开时，单元处于基准电长度；当开关接通时，电流路径延长，使反射相位产生约180°滞后，从而实现1比特相位编码。该设计将MEMS开关与延迟线巧妙结合，在太赫兹频段兼具低驱动电压、低反射损耗和高相位调控精度的优势，为可重构智能表面在太赫兹通信系统中的实际应用提供了可行的硬件解决方案。

本发明授权一种基于MEMS可切换延迟线的太赫兹超表面反射单元在权利要求书中公布了：1.一种基于MEMS可切换延迟线的太赫兹超表面反射单元，其特征在于：包括上层玻璃基板4和下层玻璃基板6；所述上层玻璃基板4和下层玻璃基板6之间具有键合金属面5；所述上层玻璃基板4的上表面设有金属辐射贴片1、MEMS开关2和相位延迟线3；所述金属辐射贴片1的一侧设有矩形缺陷1-1，所述相位延迟线3为直线形式，其内端连接在矩形缺陷1-1的长边；所述相位延迟线3的中间位置设有断口，MEMS开关2处于断口处，用于实现相位延迟线3的连通和断开； 所述MEMS开关2包括H型金属电极33和金属梁8；所述金属梁8包括依次连接的左侧支撑部、左侧连接部8-1、动作部8-2、右侧连接部和右侧支撑部8-3； 所述H型金属电极33位于断口中，左侧支撑部和右侧支撑部8-3分别位于H型金属电极33的两侧，动作部8-2悬于H型金属电极33的正上方并通过两侧的连接部与对应的支撑部连接；所述动作部8-2上设有两个触点31，分别对应断口两侧的相位延迟线3边缘； 金属梁8的左侧支撑部连接直流偏置金属柱7，H型金属电极33连接有接地金属柱9；直流偏置金属柱7穿过键合金属面5上的开孔延伸至下层玻璃基板6下表面，接地金属柱9与键合金属面5连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第五十四研究所;北京邮电大学，其通讯地址为：050081 河北省石家庄市中山西路589号中国电子科技集团公司第五十四研究所北京研发中心；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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