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龙图腾网获悉赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司;瑞士半导体科技有限公司申请的专利一种内置栅极电阻器结构的半导体功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121262861B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511815036.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种内置栅极电阻器结构的半导体功率器件及其制备方法是由尼克·吉尔·施耐德;宝拉·迪亚兹·雷戈萨;托马索·斯泰科尼;拉尔斯·诺尔·克里斯蒂安设计研发完成，并于2025-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种内置栅极电阻器结构的半导体功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种内置栅极电阻器结构的半导体功率器件及其制备方法；半导体衬底的有源区设有栅极电介质层，栅极电介质层上设有多晶硅层，多晶硅层上设有第一连通孔，各第一连通孔设有温度系数热敏电阻，温度系数热敏电阻延伸至第一通孔外，多晶硅层和各温度系数热敏电阻上设有层间介质层，层间介质层上开设有第二通孔和第三通孔，第二通孔内填充有第一金属层，第三通孔内填充有第二金属层，层间介质层上设有栅极焊盘以及栅极流道，栅极焊盘、栅极流道和层间介质层上设有钝化层。内置栅极电阻器结构的半导体功率器件结构设计以解决现有的内置栅极电阻器结构的半导体功率器件在较高的温度下损耗高的技术问题。

本发明授权一种内置栅极电阻器结构的半导体功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种内置栅极电阻器结构的半导体功率器件制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 在半导体衬底1的有源区101沉积栅极电介质层5； 在栅极电介质层5上沉积多晶硅层6，在多晶硅层6上开设与栅极电介质层5连通的间隔阵列的多个第一连通孔，将温度系数材料沉积在多晶硅层6上并填充各第一连通孔，形成温度系数热敏电阻层，对温度系数热敏电阻层进行刻蚀，形成多个间隔阵列的温度系数热敏电阻7； 在多晶硅层6和各温度系数热敏电阻7上沉积层间介质层8； 在层间介质层8上分别开设与多晶硅层6连通的第二通孔和第三通孔，在第二通孔内填充用于将栅极流道3和多晶硅层6连通的第一金属层9，在第三通孔内填充将栅极焊盘2和多晶硅层6连通的第二金属层10，在层间介质层8上制备栅极焊盘2以及沿栅极焊盘2周向环设的栅极流道3，各温度系数热敏电阻7位于栅极焊盘和栅极流道3间； 在栅极焊盘2、栅极流道3和层间介质层8上制备钝化层4，获得内置栅极电阻器结构的半导体功率器件。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司;瑞士半导体科技有限公司，其通讯地址为：314100 浙江省嘉兴市嘉善县惠民街道晋吉路58号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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