买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉福建省金石能源股份有限公司申请的专利一种提高钝化性能的背接触电池制作方法及其背接触电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121262926B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511820877.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种提高钝化性能的背接触电池制作方法及其背接触电池是由林朝晖;林楷睿;林锦山;张超华;杨清霖;吴远涛;黄晓狄;黄天福设计研发完成，并于2025-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高钝化性能的背接触电池制作方法及其背接触电池在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种提高钝化性能的背接触电池制作方法及其背接触电池，包括：S2、在硅片背面沉积第一半导体层，磷硅玻璃层并保留作为第一掩膜层；S3、对硅片正面进行制绒清洗；并在制绒后的最后清洗过程中同时去除第一掩膜层；S4、在硅片正面形成钝化层及减反层；S5、接着在背面镀膜形成第二掩膜层；S6、形成第二半导体开口区；S7、对背面的第二半导体开口区进行制绒或抛光，并采用质量浓度为0.5%‑5%的HF溶液进行清洗以去除第二掩膜层以及S4的正面镀膜过程产生的绕镀层。本发明无需去除背面绕镀层，能避免第一半导体层和正面膜层的损伤，且能提高整体钝化水平，从而提升电池效率。

本发明授权一种提高钝化性能的背接触电池制作方法及其背接触电池在权利要求书中公布了：1.一种提高钝化性能的背接触电池制作方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、提供双面抛光的硅片； S2、在硅片背面沉积第一半导体层，第一半导体层包括N型掺杂多晶层，N型掺杂多晶层的沉积过程中同时自然形成磷硅玻璃层并保留作为第一掩膜层； S3、对硅片正面进行制绒清洗，使其正面形成金字塔绒面；并在制绒后的最后清洗过程中同时去除第一掩膜层； S4、在硅片正面形成钝化层及减反层； S5、接着在背面镀膜形成第二掩膜层，第二掩膜层包括氮化硅和或氧化硅，且控制第二掩膜层在质量浓度为0.5%-5%的HF溶液中的腐蚀速度为减反层在对应HF溶液中的腐蚀速度的1.5倍以上； S6、在背面进行激光或蚀刻第一次开口，去除第二掩膜层及对应部分第一半导体层，形成第二半导体开口区； S7、对背面的第二半导体开口区进行制绒或抛光，并采用质量浓度为0.5%-5%的HF溶液进行清洗以去除第二掩膜层以及S4的正面镀膜过程产生的绕镀层； S8、在背面形成第二半导体层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建省金石能源股份有限公司，其通讯地址为：362000 福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)泉源路17号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。