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龙图腾网获悉成都信息工程大学申请的专利一种高精度浮动电源轨电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121277289B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511841904.1，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种高精度浮动电源轨电路是由谢东宴;彭映杰;谭菲菲;王海时设计研发完成，并于2025-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高精度浮动电源轨电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高精度浮动电源轨电路，涉及高压功率集成电路技术领域，该电路包括：通过采样电路、误差校正电路和调整电路，采样电路，连接在输入高电压VDD和浮动电源轨电压VF之间，用于采样VDD与VF的电压差，并输出采样信号Vsense；误差校正电路，其输入端连接至所述采样电路的输出端和基准参考电压Vref，用于比较所述采样信号Vsense与基准参考电压Vref，并根据比较结果产生控制信号Vgate；调整电路，其控制端连接至所述误差校正电路的输出端，其主通路连接在浮动电源轨电压VF和地之间，用于根据所述控制信号Vgate调整浮动电源轨电压VF，使得VDD与VF之差保持固定值，能产生高精度、稳定的浮动电源轨电压。

本发明授权一种高精度浮动电源轨电路在权利要求书中公布了：1.一种高精度浮动电源轨电路，其特征在于，包括：采样电路、误差校正电路和调整电路，其中： 采样电路，连接在输入高电压VDD和浮动电源轨电压VF之间，用于采样VDD与VF的电压差，并输出采样信号Vsense； 误差校正电路，其输入端连接至所述采样电路的输出端和基准参考电压Vref，用于比较所述采样信号Vsense与基准参考电压Vref，并根据比较结果产生控制信号Vgate； 调整电路，其控制端连接至所述误差校正电路的输出端，其主通路连接在浮动电源轨电压VF和地之间，用于根据所述控制信号Vgate调整浮动电源轨电压VF，使得VDD与VF之差保持固定值； 所述采样电路的第一输入端连接输入高电压VDD，第二输入端连接浮动电源轨电压VF，第三输入端连接低压电源电压VCC，第四输入端连接使能信号EN，第五输入端连接取反后的使能信号nEN，第六输入端连接直流偏置电压信号Vbias，第七输入端连接地电压GND，输出端连接误差校正电路的第二输入端Vsense； 所述误差校正电路的第一输入端连接低压电源电压VCC，第三输入端连接基准参考电压Vref，第四输入端连接直流偏置电压信号Vbias，第五输入端连接地电压GND，输出端连接调整电路的第一输入端Vgate； 所述调整电路的第二输入端连接地电压GND，第一输出端连接浮动电源轨电压VF，第二输出端连接输入高电压VDD； 所述采样电路包括：第一高压NMOS管NDM1、第二高压NMOS管NDM2、第一NMOS管NM1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第一运算放大器OP1，其中： 第一电阻R1的一端连接浮动电源轨电压VF，第一电阻R1的另一端连接第四电阻R4的一端和第一高压NMOS管NDM1的漏极； 第二电阻R2的一端连接输入高电压VDD，第二电阻R2的另一端连接第三电阻R3的一端和第二高压NMOS管NDM2的漏极； 第三电阻R3的另一端连接地电压GND； 第四电阻R4的另一端连接第一运算放大器OP1的输出端、第一NMOS管NM1的漏极以及采样电路的输出信号Vsense； 第一高压NMOS管NDM1的栅极连接使能信号EN和第二高压NMOS管NDM2的栅极； 第一高压NMOS管NDM1的源极连接第一运算放大器OP1的负相输入端； 第二高压NMOS管NDM2的源极连接第一运算放大器OP1的正相输入端； 第一运算放大器OP1的第一输入端连接低压电源电压VCC，第二输入端连接直流偏置电压信号Vbias，第三输入端连接地电压GND； 第一NMOS管NM1的栅极连接取反后的使能信号nEN，源极连接地电压GND； 所述误差校正电路包括：第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4和第五PMOS管PM5，其中： 第二NMOS管NM2的栅极和漏极连接第三PMOS管PM3的漏极和第三NMOS管NM3的栅极； 第二NMOS管NM2的源极连接地电压GND； 第三NMOS管NM3的漏极连接第四PMOS管PM4的漏极和第五PMOS管PM5的栅极； 第三NMOS管NM3的源极连接地电压GND； 第一PMOS管PM1的栅极连接直流偏置电压信号Vbias和第二PMOS管PM2的栅极； 第一PMOS管PM1的漏极连接第三PMOS管PM3的源极和第四PMOS管PM4的源极； 第一PMOS管PM1的源极连接低压电源电压VCC和第二PMOS管PM2的源极； 第二PMOS管PM2的漏极连接误差校正电路的输出信号Vgate和第五PMOS管PM5的源极； 第三PMOS管PM3的栅极连接基准参考电压Vref； 第四PMOS管PM4的栅极连接采样电路的输出信号Vsense； 第五PMOS管PM5的漏极连接地电压GND； 所述误差校正电路构成五管差分运算放大器，包括由第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4组成的输入对，以及由第二NMOS管NM2和第三NMOS管NM3组成的电流镜，用于根据采样电路的输出信号Vsense与基准参考电压Vref的差值调整输出信号Vgate，从而通过负反馈控制浮动电源轨电压VF； 所述调整电路包括：第三高压NMOS管NDM3和第一电容C1，其中： 第三高压NMOS管NDM3的栅极连接误差校正电路的输出信号Vgate，漏极连接浮动电源轨电压VF和第一电容C1的一端，源极连接地电压GND； 第一电容C1的另一端连接输入高电压VDD。

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