厦门银科启瑞半导体科技有限公司张银桥获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门银科启瑞半导体科技有限公司申请的专利一种电池芯片外观检测分析方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121298749B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511883608.8,技术领域涉及:G01N21/88;该发明授权一种电池芯片外观检测分析方法是由张银桥;周珊;谢昆江;魏志杰;王建红设计研发完成,并于2025-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电池芯片外观检测分析方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种电池芯片外观检测分析方法,涉及电池芯片检测技术领域,包括:构建自适应光热泵浦场、建立诱导热弹性交变应力态、配置差分漂移补偿探测系统、执行多维相位层析解耦、实施动态反馈与参数修正。本发明实现了表面灰尘与内部裂纹的精准分离,解决了背景噪声干扰及深度信息缺失问题,通过对局部膜厚波动的自适应补偿,消除了检测盲区;利用闭环热补偿机制,抑制了长时间工作的热漂移伪影,提升了电池芯片外观检测的信噪比、分辨率及稳定性。
本发明授权一种电池芯片外观检测分析方法在权利要求书中公布了:1.一种电池芯片外观检测分析方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、构建自适应光热泵浦场,将中心波长为532nm的泵浦激光导入声光调制器,进行空间-频率自适应调制,把连续光转化为频率在1MHz~20MHz范围内可调的时域脉冲序列,并将经过调制的泵浦激光聚焦于电池芯片表面的钝化层区域,形成激发源; S2、建立诱导热弹性交变应力态,通过泵浦激光在电池芯片表面诱导产生随时间周期性波动的微米级热波场,使待测区域处于热弹性交变应力状态,其中,通过调整泵浦激光的调制频率,将热波场的扩散长度严格控制在电池芯片钝化层厚度的0.8~1.2倍; S3、配置差分漂移补偿探测系统,控制中心波长为780nm的探测激光与泵浦激光保持共轴对准,设定探测激光的光斑直径小于泵浦激光的光斑直径,利用光电探测器采集电池芯片表面反射率的瞬态变化量; S4、执行多维相位层析解耦,利用锁相放大器对瞬态变化量进行同步解调,提取同相分量与正交分量,通过相位切片技术,将低相位滞后的表面灰尘数据与高相位滞后的内部裂纹数据在数据层面上进行分离; S5、实施动态反馈与参数修正,在检测过程中实时监测基底热漂移或膜厚波动,通过双频差分层析算法和直流分量闭环热补偿机制,实时调整泵浦光的调制频率或占空比。
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