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龙图腾网获悉厦门银科启瑞半导体科技有限公司申请的专利一种三结太阳电池的外延结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121358003B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511917111.3，技术领域涉及：H10F10/142；该发明授权一种三结太阳电池的外延结构及其制造方法是由夏宏营;张银桥;王玉;周珊;郑文娟;陈晓铃设计研发完成，并于2025-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三结太阳电池的外延结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种三结太阳电池的外延结构及其制造方法，包括依次层叠生长的第一子电池、第二子电池和第三子电池；所述第二子电池包括InGaAs基区、InGaAs发射区、第一背场层和第一窗口层；所述第三子电池包括GaInP基区、GaInP发射区、第二背场层和第二窗口层；所述第一窗口层、第二背场层和第二窗口层中的一层或几层，由多组交替生长的Alx1In1‑x1P层、Alx2In1‑x2P层构成的超晶格结构组成，其中，0.65≤x1≤0.75，x2=0.4，并且Alx1In1‑x1P层为张应力，Alx2In1‑x2P层为压应力，本申请将窗口层和或背场层设置为超晶格结构，在保证晶体质量的前提下，有效提高高温环境下背场层和或窗口层对载流子的限制能力。

本发明授权一种三结太阳电池的外延结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三结太阳电池的外延结构，其特征在于：包括依次层叠设置的第一子电池、第二子电池和第三子电池；其中，所述第二子电池包括InGaAs基区、InGaAs发射区，以及位于InGaAs基区下方的第一背场层和位于InGaAs发射区上方的第一窗口层；所述第三子电池包括GaInP基区、GaInP发射区，以及位于GaInP基区下方的第二背场层和位于GaInP发射区上方的第二窗口层； 所述第一窗口层、第二背场层和第二窗口层中的一层或几层，由多组交替生长的Alx1In1-x1P层、AlInP渐变层、Alx2In1-x2P层构成的超晶格结构组成，其中，0.65≤x1≤0.75，x2=0.4，并且Alx1In1-x1P层为张应力，Alx2In1-x2P层为压应力；所述AlInP渐变层的Al组分由x1渐变为x2或者由x2渐变为x1，且AlInP渐变层的掺杂量高于Alx1In1-x1P层和Alx2In1-x2P层的掺杂量，所述掺杂量为N型掺杂元素或P型掺杂元素的掺杂量。

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