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龙图腾网获悉厦门银科启瑞半导体科技有限公司申请的专利一种电池芯片背电极钝化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121358047B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511926456.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种电池芯片背电极钝化方法是由张银桥;周珊;叶伟民;陈星宇;王周阳;王建红设计研发完成，并于2025-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电池芯片背电极钝化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电池芯片背电极钝化方法，涉及电池芯片技术领域，包括将电池芯片置于反应腔内，控制反应腔温度和背压，脉冲注入由三甲基铝与叔丁胺配位反应制备的位阻型缓释前驱体溶液，进行化学吸附，吹扫后通入双频共振级联工作气，开启高频射频电源进行处理，形成初态亚单层；保持高频射频电源开启，叠加低频射频电源，利用线性爬坡控制低频功率，通过物理轰击将初态亚单层转化为致密阻隔层；关闭低频射频电源，将高频射频电源降至低功率状态，保持双频共振级联工作气吹扫，进行副产物的解吸溢出处理。本发明在单次真空制程中兼顾了敏感界面的低损伤保护与膜层的高致密性，有效去除了膜层杂质，提升了电池芯片的耐腐蚀性能与长期可靠性。

本发明授权一种电池芯片背电极钝化方法在权利要求书中公布了：1.一种电池芯片背电极钝化方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、界面软着陆：将电池芯片置于反应腔内，控制反应腔温度和背压，脉冲注入由三甲基铝与叔丁胺配位反应制备的位阻型缓释前驱体溶液，进行化学吸附，吹扫后通入双频共振级联工作气，开启高频射频电源进行处理，形成初态亚单层；位阻型缓释前驱体溶液的制备方法包括：在惰性气体保护及无水环境下，将无水正己烷溶剂降温至0~2℃，在500rpm的磁力搅拌下先加入金属源三甲基铝，随后按三甲基铝与位阻剂叔丁胺的摩尔比为1∶1.05进行滴加反应，滴加完成后在室温下进行搅拌陈化，最后进行减压蒸馏去除溶剂，制得液态加合物； S2、梯度致密化：保持高频射频电源开启，叠加低频射频电源，利用线性爬坡控制低频功率，通过物理轰击将初态亚单层转化为致密阻隔层； S3、应力弛豫：关闭低频射频电源，将高频射频电源降至维持表面活性的低功率状态，保持双频共振级联工作气吹扫，进行副产物的解吸溢出处理； 双频共振级联工作气的制备方法包括：通过质量流量控制器将高纯氩气、高纯氮气和高纯氦气按体积比70∶25∶5进行动态混合；将混合后的气体充入内壁经氧化铬钝化处理的缓冲罐中，在0.2MPa压力下进行静置均化处理24小时。

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