西北工业大学闫虹获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种具有低温反常霍尔效应的铱酸锶薄膜异质结、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121358168B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511927219.0，技术领域涉及：H10N52/00；该发明授权一种具有低温反常霍尔效应的铱酸锶薄膜异质结、制备方法及应用是由闫虹;陈铭嘉;王拴虎;陈一瑞设计研发完成，并于2025-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有低温反常霍尔效应的铱酸锶薄膜异质结、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有低温反常霍尔效应的铱酸锶薄膜异质结、制备方法及应用，异质结包括在晶面取向为001的SrTiO3基片表面外延生长的SrIrO3单晶薄膜，及外延生长于SrIrO3单晶薄膜表面的SmNiO3单晶薄膜；本发明通过脉冲激光沉积系统，在预处理后的SrTiO3基片上外延生长一层SrIrO3单晶薄膜；再在生长的SrIrO3外延薄膜上利用脉冲激光沉积技术外延生长一定厚度的SmNiO3单晶薄膜得到SrTiO3SmNiO3异质结；得到的异质结在50K以下，温度对其反常霍尔效应的信号大小有连续调控作用。
本发明授权一种具有低温反常霍尔效应的铱酸锶薄膜异质结、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种具有低温反常霍尔效应的铱酸锶薄膜异质结，其特征在于， 包括在晶面取向为001的SrTiO3基片表面外延生长的SrIrO3单晶薄膜，及外延生长于SrIrO3单晶薄膜表面的SmNiO3单晶薄膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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