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龙图腾网获悉厦门银科启瑞半导体科技有限公司申请的专利一种薄膜材料与刚性材料的键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121358327B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511896151.4，技术领域涉及：H10W95/00；该发明授权一种薄膜材料与刚性材料的键合方法是由褚克成;张银桥;王玉;叶伟民;刘标煌;卢伟;周珊;谢昆江设计研发完成，并于2025-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜材料与刚性材料的键合方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种薄膜材料与刚性材料的键合方法，首先在薄膜材料的键合面制备图形化的复合结构，所述复合结构包含SiO2层和交替排列的第一键合金属层，所述第一键合金属层凸起于SiO2层，从而相邻的第一键合金属层以及SiO2层之间形成凹槽；同时，在刚性材料的键合面蒸镀第二键合金属层；接着将薄膜材料的键合面与刚性材料的键合面对齐贴合，通过第一键合金属层和第二键合金属层永久键合在一起，键合时，凹槽构成连通键合界面与外部环境的排气通道，能够将高温高压时薄膜材料和键合金属产生的气体排出，解决了传统键合方法键合界面不紧密而产生气泡或孔洞的难题。

本发明授权一种薄膜材料与刚性材料的键合方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜材料与刚性材料的键合方法，其特征在于：包括以下步骤： 提供一薄膜材料，在薄膜材料的键合面制备图形化的复合结构，所述复合结构包含SiO2层和交替排列的第一键合金属层，所述SiO2层为多孔、富含缺陷的非晶网络结构，所述第一键合金属层凸起于SiO2层，从而相邻的第一键合金属层以及SiO2层之间形成凹槽；其中，制备第一键合金属层时，先在薄膜材料上制作MESA图形，然后在MESA图形上形成第一键合金属层，MESA图形上的区域为有效区，其他区域为无效区； 提供一刚性材料，在刚性材料的键合面蒸镀第二键合金属层，所述第一键合金属层和第二键合金属层均为Cr-Ti-Ag-Au复合层； 将薄膜材料的键合面与刚性材料的键合面对齐贴合，通过第一键合金属层和第二键合金属层永久键合在一起，键合时，所述该凹槽形成空心的键合腔体，该键合腔体与外部真空或保护气氛环境连通，构成连通键合界面与外部环境的排气通道，能够将键合过程中产生的气体排出并在降温时防止气体返流。

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