杭州电子科技大学;杭州电子科技大学上虞科学与工程研究院有限公司张永军获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学;杭州电子科技大学上虞科学与工程研究院有限公司申请的专利一种纳米针尖支撑的双层金纳米孔结构及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121470433B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610019863.6，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种纳米针尖支撑的双层金纳米孔结构及其制备方法和应用是由张永军;李东齐;高稔现;赵晓宇;温嘉红;张坤;张丰艺;崔茹飞;王雅新设计研发完成，并于2026-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米针尖支撑的双层金纳米孔结构及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于微纳结构领域，涉及一种纳米针尖支撑的双层金纳米孔结构及其制备方法和应用。该制备方法通过电子束热蒸发系统、聚苯乙烯微球自组装技术和反应离子刻蚀RIE得到了纳米针尖支撑的双层金纳米孔结构，不仅制备过程简单、成本低、可重复性好，而且结构稳定性好、耐受性高。本发明与单层金纳米孔结构相比，不仅具有更多的模式，而且呈现出泵浦波长依赖的复杂多模态响应。
本发明授权一种纳米针尖支撑的双层金纳米孔结构及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种纳米针尖支撑的双层金纳米孔结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1在硅片的上表面自组装得到周期性排列的聚苯乙烯微球； S2使用反应离子刻蚀，利用O2减小微球的体积； S3在硅片的上表面沉积一层Au膜； S4去除微球，在硅片上得到带有均匀排列纳米孔的Au膜； S5使用反应离子刻蚀，利用SF6刻蚀硅片上表面所述纳米孔裸露出的硅层，控制刻蚀时间，得到硅纳米台支撑的带有均匀排列纳米孔的Au膜，作为第一Au膜； S6在步骤S5得到的产物的上表面沉积一层SiO2膜，之后再在SiO2膜上沉积一层Au膜，作为第二Au膜，两层Au膜的厚度相同； S7使用反应离子刻蚀，利用SF6同时刻蚀硅纳米台和夹在两层Au膜之间的SiO2层，刻蚀完毕后，得到由硅材质纳米针尖支撑的双层带有均匀排列纳米孔的Au膜；两层Au膜上纳米孔位置一一对应，纳米针尖对Au膜进行支撑的支撑点位于第一Au膜下表面相邻的4个纳米孔之间。
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