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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种考虑电离层厚度与倾角的电离层总电子含量投影方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121477339B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610018389.5，技术领域涉及：G01V3/38；该发明授权一种考虑电离层厚度与倾角的电离层总电子含量投影方法是由朱泉诚;翟长治;许超钤设计研发完成，并于2026-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种考虑电离层厚度与倾角的电离层总电子含量投影方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种考虑电离层厚度与倾角的电离层总电子含量投影方法，包括：将接收机和卫星的大地坐标转换为地心地固坐标；将接收机和卫星之间的连线离散化成一系列离散点，并得到每个离散点的大地坐标；基于离散点周围的电子密度，插值得到离散点处的电子密度，并对离散点处的电子密度进行积分，得到斜电子含量；计算穿刺点以及穿刺点邻近两点的经纬度，并计算接收机、卫星以及穿刺点邻近两点到地球赤道的距离；根据接收机、卫星以及穿刺点邻近两点到地球赤道的距离，结合接收机、卫星以及穿刺点邻近两点的大地高度，计算接收机和卫星的连线在地面的倾角以及电离层的倾角；计算得到电离层总电子含量。

本发明授权一种考虑电离层厚度与倾角的电离层总电子含量投影方法在权利要求书中公布了：1.一种考虑电离层厚度与倾角的电离层总电子含量投影方法，其特征在于，包括： 将接收机和卫星的大地坐标转换为地心地固坐标； 在地心地固坐标系下，将接收机和卫星之间的连线离散化成一系列离散点，并转换得到每个离散点的大地坐标； 基于离散点周围的电子密度，插值得到离散点处的电子密度，并对离散点处的电子密度进行积分，得到斜电子含量； 计算穿刺点以及穿刺点邻近两点的经纬度，并计算接收机、卫星以及穿刺点邻近两点到地球赤道的距离； 根据接收机、卫星以及穿刺点邻近两点到地球赤道的距离，结合接收机、卫星以及穿刺点邻近两点的大地高度，计算接收机和卫星的连线在地面的倾角以及电离层的倾角为： ， 其中，分别表示接收机和卫星的连线在地面的倾角以及电离层的倾角，分别为接收机、卫星、穿刺点邻近两点处的大地高度，分别为接收机、卫星、穿刺点邻近两点到地球赤道的距离； 根据接收机和卫星的连线在地面的倾角以及电离层的倾角，结合积分得到的斜电子含量，计算得到电离层总电子含量为： ， 其中，STEC为斜电子含量。

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