台湾积体电路制造股份有限公司高魁佑获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224006993U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520621160.1，技术领域涉及：H10D30/62；该实用新型半导体装置是由高魁佑;卓琼玉设计研发完成，并于2025-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置。半导体装置包括基板、鳍片结构、栅极结构与源极漏极结构。鳍片结构包括第一半导体层、第二半导体层与第三半导体层。第一半导体层、第二半导体层与第三半导体层互相垂直地分离，第二半导体层位于第一半导体层与第三半导体层之间。栅极结构围绕鳍片结构，并位于鳍片结构上。源极漏极结构位于基板上，邻近于鳍片结构，其中源极漏极结构沿厚度方向具有均匀的一临界尺寸。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一基板； 一鳍片结构，包括： 一第一半导体层，位于该基板上，具有一第一宽度； 一第二半导体层，位于该第一半导体层上，与该第一半导体层垂直地分离，具有一第二宽度；及 一第三半导体层，位于该第二半导体层上方，与该第二半导体层垂直地分离，使得该第二半导体层位于该第一半导体层与该第三半导体层之间，具有一第三宽度，其中该第一宽度、该第二宽度与该第三宽度相等；一栅极结构，围绕该鳍片结构，并位于该鳍片结构上方；及 一源极漏极结构，位于该基板上，邻近于该鳍片结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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