买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224006995U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520662608.4，技术领域涉及：H10D30/62；该实用新型半导体装置是由叶德夫;洪若珺;庄英良设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体装置，包括排列在垂直于半导体基板的第一方向上的多个第一纳米结构通道、排列在第一方向上且在第二方向上邻近第一纳米结构通道的多个第二纳米结构通道，第一纳米结构通道和第二纳米结构通道延伸在垂直于第二方向的第三方向上。半导体装置还包括围绕第一纳米结构通道的第一栅极结构、位于第一栅极结构和第一纳米结构通道之间的第一栅极介电层、围绕第二纳米结构通道的第二栅极结构，以及位于第二栅极结构和第二纳米结构通道之间的第二栅极介电层，其中在第三方向上，位于第一纳米结构通道中的纳米结构通道的侧壁上的第一栅极介电层以及位于纳米结构通道的顶表面上的第一栅极介电层之间的角度大于或等于100度。

本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 多个第一纳米结构通道，排列在垂直于该半导体装置的一半导体基板的一第一方向上； 多个第二纳米结构通道，排列在垂直于该半导体基板的该第一方向上，并且在一第二方向上邻近于所述多个第一纳米结构通道， 其中所述多个第一纳米结构通道和所述多个第二纳米结构通道延伸在垂直于该第二方向的一第三方向上； 一第一栅极结构，围绕所述多个第一纳米结构通道，并且包括一第一类型功函数金属层； 一第一栅极介电层，位于该第一栅极结构和所述多个第一纳米结构通道之间， 其中在该第三方向上，位于所述多个第一纳米结构通道中的一纳米结构通道的一侧壁上的该第一栅极介电层的一第一部分以及位于该纳米结构通道的一顶表面上的该第一栅极介电层的一第二部分之间的一角度大于或等于100度； 一第二栅极结构，围绕所述多个第二纳米结构通道中的各者，并且包括不同于该第一类型功函数金属层的一第二类型功函数金属层；以及 一第二栅极介电层，位于该第二栅极结构和所述多个第二纳米结构通道之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。