上海韦尔半导体股份有限公司薛华瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224007000U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520406177.5，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET是由薛华瑞;阮孟波设计研发完成，并于2025-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET在说明书摘要公布了：本申请实施例提供的一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET，通过改变所述终端区离所述元胞区最近的所述第一沟槽区与所述元胞区的第二沟槽区之间，可以优化电荷平衡，避免尖端放电，从而优化IDSS，提高击穿电压。
本实用新型一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET在权利要求书中公布了：1.一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图，其特征在于，元胞区和终端区； 所述终端区包括间隔设置的多个第一沟槽区，所述元胞区包括多个间隔设置的第二沟槽区，所述第二沟槽区中设置有栅极接触孔区； 所述第一沟槽区设置在所述第二沟槽区的外围； 所述终端区离所述元胞区最近的所述第一沟槽区与所述元胞区的第二沟槽区之间具有第一距离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海韦尔半导体股份有限公司，其通讯地址为：200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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