三星电子株式会社石敬林获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装件及其制造方法以及制造再分布结构的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111009500B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910765391.9,技术领域涉及:H10W72/00;该发明授权半导体封装件及其制造方法以及制造再分布结构的方法是由石敬林设计研发完成,并于2019-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件及其制造方法以及制造再分布结构的方法在说明书摘要公布了:一种制造半导体封装件的方法,可包括:形成下部再分布层;形成堆叠体;将堆叠体接合至下部再分布层的一部分;在下部再分布层的顶表面上堆叠半导体芯片;以及在半导体芯片和堆叠体上形成上部再分布层。
本发明授权半导体封装件及其制造方法以及制造再分布结构的方法在权利要求书中公布了:1.一种制造半导体封装件的方法,包括: 在第一衬底上形成下部再分布层,其中,所述下部再分布层包括下部再分布绝缘体、下部再分布图案和下部再分布外部端子; 在与所述第一衬底不同的第二衬底的顶表面上形成堆叠体; 从所述第二衬底的顶表面上移除所述堆叠体; 将所述堆叠体接合至所述下部再分布层的一部分; 在接合所述堆叠体之后,将半导体芯片堆叠在所述下部再分布层的顶表面上;以及 在所述半导体芯片和所述堆叠体上形成上部再分布层, 其中,所述下部再分布层和所述堆叠体经由连接球彼此电连接, 其中,所述连接球与所述下部再分布外部端子接触,并且 其中,所述半导体芯片和所述下部再分布层经由中间球彼此电连接。
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