台湾积体电路制造股份有限公司简妤珊获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构和半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112687624B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010994970.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构和半导体装置及其制造方法是由简妤珊;江欣哲;梁春昇;潘国华设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构和半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置的制造方法包括形成一半导体衬层于一第一鳍部结构及一第二鳍部结构上，以及形成一第一盖层于设置在第一鳍部结构上的半导体衬层上。上述方法还包括形成一第二盖层于设置在第一鳍部结构上的半导体衬层上，其中第一盖层的组成不同于第二盖层的组成。上述方法还包括对第一盖层、第二盖层及半导体衬层进行一热处理，以形成第一通道区于第一鳍部结构内，且形成第二通道区于第二鳍部结构内。第一通道区的材料的浓度分布剖面不同于第二通道区的材料的浓度分布剖面。
本发明授权半导体结构和半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括： 形成一半导体衬层于一第一鳍部结构及一第二鳍部结构上； 形成一第一盖层于设置在该第一鳍部结构上的该半导体衬层上； 形成一第二盖层于设置在该第二鳍部结构上的该半导体衬层上，其中该第一盖层的组成不同于该第二盖层的组成； 对该第一盖层、该第二盖层及该半导体衬层进行一热处理，以形成一第一通道区于该第一鳍部结构内，且形成一第二通道区于该第二鳍部结构内，其中该第一通道区的一材料的浓度分布剖面不同于该第二通道区的一材料的浓度分布剖面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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