台湾积体电路制造股份有限公司杨柏峰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113054017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011162351.4，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件和方法是由杨柏峰;杨世海;徐志安设计研发完成，并于2020-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件和方法。提供了一种半导体器件及其制造方法，其利用金属种子来辅助使铁电层结晶。在实施例中，金属层和铁电层彼此相邻地形成，并且然后金属层扩散到铁电层中。一旦就位，则执行结晶工艺，其利用金属层的材料作为种子晶体。
本发明授权半导体器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 界面层，在半导体鳍之上； 结晶的铁电层，与所述界面层实体接触，所述结晶的铁电层包括多个结晶区域，在所述多个结晶区域中的相邻结晶区域之间具有晶粒边界，所述多个结晶区域中的每一者包括多个金属种子之一，其中，所述结晶的铁电层内的所述金属种子的密度在10000个种子μm2和250000个种子μm2之间，并且其中，通过使用添加剂，所述结晶的铁电层的70％和95％之间的材料具有正交结晶相，其中，所述金属种子是至少部分地利用第一退火工艺来将金属材料扩散到铁电层中而形成的，其中，所述金属种子和所述添加剂在不同于所述第一退火工艺的第二退火工艺期间一起作用以使得形成所述结晶的铁电层，并且其中，所述金属种子和所述添加剂是不同的材料；以及 导电堆叠，在所述结晶的铁电层之上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励