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龙图腾网获悉原子能和替代能源委员会申请的专利光发射和/或光接收二极管阵列器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113497161B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110368589.0，技术领域涉及：H10F55/00；该发明授权光发射和/或光接收二极管阵列器件是由阿德里安·加斯;卢多维奇·杜普瑞;玛丽安·康松尼设计研发完成，并于2021-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本光发射和/或光接收二极管阵列器件在说明书摘要公布了：公开了光发射和或光接收二极管102阵列器件100，该阵列器件包括：‑根据不同类型掺杂的第一半导体层106和第二半导体层108的堆叠；‑多个第一沟道112，第一沟道穿过堆叠，并围绕堆叠的其中形成有多个二极管的区域；‑多个介电部114，介电部布置在第一沟道中，并在第二层的整个厚度和第一层的厚度的第一部分上覆盖所述区域的侧翼面；‑布置在第一沟道中的第一导电部116，第一导电部在第一层的厚度的第二部分上覆盖所述区域的侧翼面，并形成所述区域的二极管的第一电极；‑至少一个第二沟道118，第二沟道部分地穿过第一层，并将第一层的部分与所述区域的二极管分隔开。

本发明授权光发射和/或光接收二极管阵列器件在权利要求书中公布了：1.包括光发射和或光接收二极管阵列的器件100，至少包括： -根据不同类型的导电性掺杂的至少一个第一半导体层106和第二半导体层108的堆叠，所述二极管102中的每一个包括第一半导体层106的叠置在第二半导体层108的一部分上的部分； -多个第一沟道112，所述第一沟道穿过第二半导体层108的整个厚度和第一半导体层106的厚度的至少一部分，并围绕所述堆叠的其中形成有多个二极管102的至少一个区域； -多个介电部114，所述介电部布置在所述第一沟道112中，并在第二半导体层108的整个厚度和第一半导体层106的厚度的第一部分上覆盖所述堆叠的所述区域的侧翼面； -布置在所述第一沟道112中的第一导电部116，所述第一导电部在所述第一半导体层106的厚度的未被所述介电部114覆盖的第二部分上覆盖所述堆叠的所述区域的侧翼面，和或所述第一导电部覆盖所述第一沟道112的底壁150；且形成在所述堆叠的所述区域中的二极管102的第一电极的至少一部分由所述第一导电部形成； -至少一个第二沟道118，所述第二沟道从所述第一半导体层106的第一面120部分地穿过所述第一半导体层106的厚度，其中，所述第一面与所述第一半导体层106的面对所述第二半导体层108的第二面相对，且所述第二沟道将所述第一半导体层106的部分与形成在所述堆叠的所述区域中的二极管102分隔开，而不穿过所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的界面； -多个第二电极122,124，所述第二电极彼此电绝缘，且每个所述第二电极电连接到形成在所述堆叠的所述区域中的二极管102的第二半导体层108的部分中的一个上； 并且其中，形成在所述堆叠的所述区域中的二极管102的第二半导体层108的部分形成连续的半导体部分，所述连续的半导体部分不被第一沟道112和第二沟道118穿过。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人原子能和替代能源委员会，其通讯地址为：法国巴黎；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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