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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889435B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110326123.4，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法是由赖德洋;陈学儒;林宗达;徐志安设计研发完成，并于2021-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体器件的第一器件区域中，在突出高于衬底的第一鳍之上形成第一纳米结构；在半导体器件的第二器件区域中，在突出高于衬底的第二鳍之上形成第二纳米结构，其中，第一纳米结构和第二纳米结构包括半导体材料并且平行于衬底的上表面延伸；在第一纳米结构周围并且在第二纳米结构周围形成电介质材料；在第一器件区域中在第一纳米结构周围并且在第二器件区域中在第二纳米结构周围形成第一硬掩模层；在形成第一硬掩模层之后，从第二器件区域去除第一硬掩模层；在去除第一硬掩模层之后，通过执行氧化工艺来增加在第二纳米结构周围的电介质材料的第一厚度。

本发明授权纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括： 在所述半导体器件的第一器件区域中，在第一鳍之上形成第一纳米结构，所述第一鳍突出高于衬底； 在所述半导体器件的第二器件区域中，在第二鳍之上形成第二纳米结构，所述第二鳍突出高于衬底，其中，所述第一纳米结构和所述第二纳米结构包括半导体材料并且平行于所述衬底的主上表面延伸； 在所述第一纳米结构周围并且在所述第二纳米结构周围形成电介质材料； 在所述电介质材料上形成高k栅极电介质材料，其中所述高k栅极电介质材料的电介质常数比所述电介质材料更高； 在形成所述高k栅极电介质材料之后，在所述第一器件区域中在所述第一纳米结构周围并且在所述第二器件区域中在所述第二纳米结构周围形成第一硬掩模层，其中，所述第一硬掩模层填满相邻第一纳米结构之间的第一空的空间，并填满相邻第二纳米结构之间的第二空的空间； 在形成所述第一硬掩模层之后，从所述第二器件区域去除所述第一硬掩模层； 在从所述第二器件区域去除所述第一硬掩模层之后，在所述第一器件区域中在所述第一硬掩模层上并且在所述第二器件区域中在高k栅极电介质材料周围形成第二硬掩模层，其中，所述第二器件区域中的第二硬掩模层部分填充所述第二空的空间，并在相邻第二纳米结构之间留下间隙；以及 在形成所述第二硬掩模层之后，通过执行氧化工艺来增加在所述第二纳米结构周围的电介质材料的第一厚度，其中，在氧化工艺期间，所述第二硬掩模层与所述氧化工艺的氧化剂直接接触。

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