应用材料公司赛捷·托克·加勒特·多莎获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于平板光学器件制造的光刻胶负载方案获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113906350B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080040885.1，技术领域涉及：G03F7/42；该发明授权用于平板光学器件制造的光刻胶负载方案是由赛捷·托克·加勒特·多莎;罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森;卢多维克·戈代;陈建安;平克什·罗希特·沙阿设计研发完成，并于2020-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于平板光学器件制造的光刻胶负载方案在说明书摘要公布了：本公开内容的实施方式涉及制造光学装置的方法。此方法的一个实施方式包括在基板的表面上设置结构材料层和在结构材料层上方设置图案化光刻胶。图案化光刻胶具有至少一个装置部分与至少一个辅助部分。各装置部分与各辅助部分暴露结构材料层的未掩蔽部分。对应于各装置部分与各辅助部分的结构材料层的未掩蔽部分被蚀刻。蚀刻未掩蔽部分形成具有装置结构与至少一个辅助区的至少一个光学装置，该装置结构对应于至少一个装置部分的未掩蔽部分，该至少一个辅助区具有对应于至少一个辅助部分的未掩蔽部分的辅助结构。
本发明授权用于平板光学器件制造的光刻胶负载方案在权利要求书中公布了：1.一种装置，包含： 至少一个光学装置，具有纳米结构的一个或多个阵列，所述纳米结构设置在基板的表面上或与所述基板的所述表面整合，所述纳米结构中的每一者具有： 通过所述纳米结构的宽度限定的装置临界尺寸，所述装置临界尺寸小于1000纳米nm；和 限定为在相邻纳米结构之间的距离的装置间隙；和 辅助区，通过中间区来限定，所述辅助区环绕各光学装置的周边而设置，所述基板的所述表面在所述中间区中暴露，所述辅助区具有辅助结构的一个或多个阵列，所述辅助结构设置在所述基板的所述表面上或与所述基板的所述表面整合，所述辅助结构中的每一者具有： 通过所述辅助结构的所述宽度限定的辅助临界尺寸；和 限定为在相邻辅助结构之间的距离的辅助间隙，其中： 所述装置临界尺寸小于所述辅助临界尺寸；或 所述装置临界尺寸等于所述辅助临界尺寸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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