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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224022144U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520391904.5，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS是由施广彦;何佳;李昀佶;陈彤设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS包括：漂移层连接至碳化硅衬底；漂移层上设有凸起部；P型阱区连接至漂移层及凸起部；P型阱区上设有N型源区；P型区连接至漂移层，P型区连接至P型阱区；第一N型区连接至漂移层，第一N型区连接至P型区；第二N型区连接至漂移层，第二N型区连接至第一N型区；绝缘介质层连接第一N型区、第二N型区以及P型区；栅极介质层连接至凸起部、P型阱区以及N型源区；场板金属层连接至绝缘介质层；栅极金属层连接至栅极介质层；源极金属层分别连接P型阱区、N型源区、P型区以及场板金属层；漏极金属层连接至碳化硅衬底，在不影响器件导通特性的基础上提高器件的终端耐压能力。

本实用新型一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底； 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述漂移层上设有凸起部； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述P型阱区内侧面连接至所述凸起部外侧面；所述P型阱区上设有N型源区； P型区，所述P型区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述P型区内侧面连接至所述P型阱区外侧面； 第一N型区，所述第一N型区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述第一N型区内侧面连接至所述P型区外侧面； 第二N型区，所述第二N型区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述第二N型区内侧面连接至所述第一N型区外侧面； 绝缘介质层，所述绝缘介质层下侧面连接所述第一N型区、第二N型区以及P型区； 栅极介质层，所述栅极介质层下侧面连接至所述凸起部上侧面、P型阱区上侧面以及N型源区上侧面； 场板金属层，所述场板金属层下侧面连接至所述绝缘介质层上侧面； 栅极金属层，所述栅极金属层下侧面连接至所述栅极介质层； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述P型阱区、N型源区、P型区以及场板金属层； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。

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