泰州中来光电科技有限公司毛静雯获国家专利权
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龙图腾网获悉泰州中来光电科技有限公司申请的专利一种选择性钝化接触结构及双面选择性TOPCon电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224022150U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520549593.0，技术领域涉及：H10F10/14；该实用新型一种选择性钝化接触结构及双面选择性TOPCon电池是由毛静雯;郭礼艳;徐卓;李锋;林建伟设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种选择性钝化接触结构及双面选择性TOPCon电池在说明书摘要公布了：本实用新型涉及光伏电池技术领域，公开一种选择性钝化接触结构及双面选择性TOPCon电池。该选择性钝化接触结构，包括：硅片，所述硅片的背面依次设有第一隧穿氧化层及第一硼掺杂多晶硅，所述第一硼掺杂多晶硅的背面电极接触区还设有第二硼掺杂多晶硅；所述第一硼掺杂多晶硅的厚度小于第二硼掺杂多晶硅，第一硼掺杂多晶硅的晶化率大于第二硼掺杂多晶硅，且第一硼掺杂多晶硅的掺杂浓度大于第二硼掺杂多晶硅。该选择性钝化接触结构能降低光的寄生吸收，降低复合，提升钝化效果和载流子的横向传输性能，故而能进一步改善双面选择性TOPCon电池的开路电压、短路电流、填充因子及电池效率。
本实用新型一种选择性钝化接触结构及双面选择性TOPCon电池在权利要求书中公布了：1.一种选择性钝化接触结构，其特征在于，包括：硅片，所述硅片的背面依次设有第一隧穿氧化层及第一硼掺杂多晶硅，所述第一硼掺杂多晶硅的背面电极接触区还设有第二硼掺杂多晶硅； 所述第一硼掺杂多晶硅的厚度小于第二硼掺杂多晶硅，第一硼掺杂多晶硅的晶化率大于第二硼掺杂多晶硅，且第一硼掺杂多晶硅的掺杂浓度大于第二硼掺杂多晶硅。
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