扬州韩思半导体科技有限公司王恒获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州韩思半导体科技有限公司申请的专利一种便于氮气吹扫的碳化硅盒获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224037790U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520545686.6，技术领域涉及：H10P72/10；该实用新型一种便于氮气吹扫的碳化硅盒是由王恒;王盛设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种便于氮气吹扫的碳化硅盒在说明书摘要公布了：一种便于氮气吹扫的碳化硅盒，属于半导体技术领域。其特征是，包括上盖和底座，所述上盖设有上圆形凹槽、上环形凸台，所述底座设有下圆形凹槽、下环形凸台，上、下环形凸台分别环绕对应的圆形凹槽布置；上、下环形凸台的对应处分别设有两个进气豁口、两个出气豁口、以及两个侧边出气豁口，两个进气豁口、两个出气豁口呈X状分布。本实用新型结构简单合理，成本低廉，通过简单改进，增加了进气、出气通道，实现晶圆片加热区域的氮气吹扫，降低加热区域的氧浓度，提高晶圆的加工质量；通过增加若干均匀分布的小凸台，解决了晶圆片于碳化硅底座难以分离的问题。
本实用新型一种便于氮气吹扫的碳化硅盒在权利要求书中公布了：1.一种便于氮气吹扫的碳化硅盒，其特征是，包括上盖和底座，所述上盖设有上圆形凹槽、上环形凸台，所述底座设有下圆形凹槽、下环形凸台，上、下环形凸台分别环绕对应的圆形凹槽布置；上、下环形凸台的对应处分别设有两个进气豁口、两个出气豁口、以及两个侧边出气豁口，两个进气豁口、两个出气豁口呈X状分布。
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