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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116234326B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310326929.2，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法是由徐勇;窦存花;戴晓菡;严宇;孙华斌;于志浩;吴洁;朱力;杨光安设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法，属于微电子材料及器件技术领域，所述制备方法包括：首先在衬底上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层和介电层，然后通过蒸镀的方式在介电层上方形成栅极，本发明选用DPPT‑TT作半导体层，选用CYTOP作介电层，通过CYTOP介电层的最佳退火温度能在介电层和半导体层界面产生最多的偶极子数目，获得电学性能最优的有机晶体管器件。本申请所提供的基于氟化聚合物电介质的高性能有机场效应晶体管制备方法，在保证器件工作状态最佳的情况下，通过确认使用最佳介电层退火温度，优化了有机薄膜晶体管的迁移率、阈值电压和开关比。

本发明授权一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1：选择玻璃片作为衬底1并清洗； 步骤S2：源漏电极2的制备：在清洗后的衬底1上真空蒸镀镍层和金层作为源漏电极2，镍层与衬底1直接接触，金层在镍层之上； 步骤S3：半导体层3的制备：将半导体溶液旋涂铺满在制备有源漏电极2的衬底1上，旋涂方法为：先在500rpm的转速下匀胶5秒，再在2000rpm的转速下匀胶60秒；然后在200℃的加热台上纯氮气环境下加热退火1h，形成半导体层3；所述半导体溶液为1,4-二氧并二吡咯和噻吩的聚合物与二氯苯以5mgml的质量体积比配置而成； 步骤S4：介电层4的制备：将CYTOP原液旋涂铺满在步骤S3得到的半导体层3上方表面，旋涂方法为：先在500rpm的转速下匀胶5秒，再在1500rpm的转速下匀胶60秒；然后在100℃加热台上，在纯氮气环境下加热退火2h，形成介电层4； 步骤S5：栅极5的制备：利用不锈钢掩模版在步骤S4得到的介电层4上方蒸镀铝层作为栅极5。

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