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龙图腾网获悉新唐科技股份有限公司申请的专利半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264254B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210120637.9，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体装置及其形成方法是由陈柏安设计研发完成，并于2022-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置包括：第一导电类型的半导体衬底；位于半导体衬底内的第二导电类型区域；位于第二导电类型区域中的飘移区，飘移区具有第一导电类型；与飘移区的第一侧相距设置的源极结构；位于第二导电类型区域的顶面上且相应于飘移区的第一侧的第一栅极结构；与飘移区的第二侧相距设置的漏极结构；位于第二导电类型区域之上且邻近飘移区的第二侧的第二栅极结构，第二栅极结构位于飘移区与漏极结构之间；以及位于第二栅极结构之上的一导电层，且一绝缘层位于第二栅极结构与导电层之间。导电层电连接漏极结构、第二栅极结构以及飘移区。具有显著降低的导通电阻和可有效缩减所需装置面积的益处。

本发明授权半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一半导体衬底，具有一第一导电类型； 一第二导电类型区域，位于该半导体衬底内并自该半导体衬底的顶面向下延伸； 一飘移区，位于该第二导电类型区域中并自该第二导电类型区域的顶面向下延伸，其中该飘移区具有一第一侧与一第二侧，其中该飘移区具有该第一导电类型； 一源极结构，与该飘移区的该第一侧相距设置，该源极结构包括具有该第二导电类型的一第一顶掺杂区以及具有该第一导电类型的一第二顶掺杂区，且该第二顶掺杂区邻接该第一顶掺杂区； 一第一栅极结构，相应于该飘移区的该第一侧设置，且位于该第二导电类型区域的该顶面上； 一漏极结构，与该飘移区的相对于该第一侧的该第二侧相距设置，该漏极结构包括具有该第一导电类型的一第三顶掺杂区以及具有该第二导电类型的一第四顶掺杂区，且该第四顶掺杂区邻接该第三顶掺杂区； 一第二栅极结构，位于该第二导电类型区域的该顶面上，该第二栅极结构邻近该飘移区的该第二侧，并位于该飘移区与该漏极结构之间；以及 一导电层位于该第二栅极结构之上，且一绝缘层位于该第二栅极结构与该导电层之间，其中该导电层电连接该漏极结构、该第二栅极结构以及该飘移区。

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