中电化合物半导体有限公司唐军获国家专利权
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龙图腾网获悉中电化合物半导体有限公司申请的专利一种Al1-xScxN薄膜、滤波器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116288698B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310329588.4，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权一种Al1-xScxN薄膜、滤波器件及其制备方法是由唐军;何欣超;冯欢欢;杨晋鹏;潘尧波设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Al1-xScxN薄膜、滤波器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种Al1‑xScxN薄膜、滤波器件及其制备方法，属于半导体材料制备技术领域，本发明的Al1‑xScxN薄膜的制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长GaN材料层；在所述GaN材料层上生长Al1‑xScxN薄膜层；其中，所述Al1‑xScxN薄膜层中Sc的组分含量x为10％至20％；将所述Al1‑xScxN薄膜层从所述衬底上剥离下来，获得Al1‑xScxN薄膜。本发明Al1‑xScxN薄膜的制备方法，选用特定组分的Al1‑xScxN材料实现在GaN材料层上共格生长，以制备位错密度较小且厚度可选控的Al1‑xScxN薄膜层。
本发明授权一种Al1-xScxN薄膜、滤波器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Al1-xScxN薄膜的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上生长缓冲层；所述缓冲层材料为AlXGa1-XN，其中0≤X≤0.3； 在所述缓冲层上生长GaN材料层； 在所述GaN材料层上生长Al1-xScxN薄膜层，其中，所述Al1-xScxN薄膜层中Sc的组分含量x为10％至20％； 将所述Al1-xScxN薄膜层从所述衬底上剥离下来，获得Al1-xScxN薄膜。
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