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龙图腾网获悉西安交通大学;电子科技大学申请的专利一种测量介质材料二次电子发射系数的方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116297610B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310380754.3，技术领域涉及：G01N23/2251；该发明授权一种测量介质材料二次电子发射系数的方法及系统是由王丹;蔡亚辉;廉卓禧;贺永宁;祁康成设计研发完成，并于2023-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种测量介质材料二次电子发射系数的方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提出了一种测量介质材料二次电子发射系数的方法及系统，方法包括获取一次电子束总电流，经过切割，得到一次电子束电流；获取束切割电流和采样电流，计算一次电子束电流与束切割电流的比值；获取待测介质材料的束切割电流和采样电流，得到待测介质材料在一次电子入射能量下的二次电子发射系数；通过第一中和电子枪和第二中和电子枪中和待测介质材料表面的积累电荷；测量不同一次电子入射能量下的二次电子发射系数，得到二次电子发射系数曲线。利用中和电子枪将待测介质材料表面的积累电荷中和进行清除，解决了以往介质材料测量过程耗时长及无法实现二次电子发射系数小于1的测量问题，实现介质材料二次电子发射系数完整曲线的快速精准测量。

本发明授权一种测量介质材料二次电子发射系数的方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种测量介质材料二次电子发射系数的方法，其特征在于，包括以下步骤：1-3 S1，获取一次电子束总电流，对一次电子束总电流经过切割后，得到一次电子束电流； S2，获取束切割电流和采样电流，计算一次电子束电流与束切割电流的比值，具体包括以下步骤： 将法拉第杯放置在样品台上，在t0时开启一次电子枪，在t1时关闭； 一次电子枪发出的一次电子束总电流IT1经过束切割电极切割后，得到均匀的一次电子束电流IP1，一次电子束电流IP1入射到法拉第杯上； 在t1到t2时，利用积分放大器和数据采集电路测量和计算束切割电流IBC1和采样电流IS1，其中IS1=IP1； 根据一次电子束电流IP1和束切割电流IBC1，计算其比值K； 调整一次电子枪入射电子能量，获取不同入射电子能量下的比值K； S3，获取待测介质材料的束切割电流和采样电流，得到待测介质材料在一次电子入射能量下的二次电子发射系数，具体为： 将待测介质材料放置在样品台上，在t0时开启一次电子枪，在t1时关闭，获取一次电子入射能量； 测量束切割电流IBC2和采样电流IS2，根据比值K和束切割电流IBC2计算实际的一次电子束电流IP2； 由一次电子束电流IP2和采样电流IS2计算得到二次电子束电流ISE； 计算二次电子发射系数，具体表示为： 其中，表示二次电子发射系数，K表示一次电子束电流IP1和束切割电流IBC1的比值； S4，通过第一中和电子枪和第二中和电子枪中和待测介质材料表面的积累电荷； S5，判断是否完成测量，未完成时重复步骤S3-S4，测量不同一次电子入射能量下的二次电子发射系数，得到待测介质材料的二次电子发射系数曲线。

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