北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;西安交通大学陈燕宁获国家专利权
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龙图腾网获悉北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;西安交通大学申请的专利3D混叠结构的三维磁场传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116299082B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310203775.8，技术领域涉及：G01R33/02；该发明授权3D混叠结构的三维磁场传感器及其制备方法是由陈燕宁;邵瑾;付振;胡忠强;王帅鹏;钟明琛;杜剑;李阳设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本3D混叠结构的三维磁场传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种3D混叠结构的三维磁场传感器及其制备方法，属于传感器封装技术领域。所述三维磁场传感器包括：外围集成电路单元和三个磁敏感单元，所述外围集成电路单元与三个磁敏感单元在垂直方向上堆叠设置；三个磁敏感单元包括基于霍尔Hall效应的Z轴磁敏感单元和基于各向异性磁阻AMR效应的X轴磁敏感单元及Y轴磁敏感单元；三个磁敏感单元与外围集成电路单元通过硅通孔导线相互电连接。采用硅通孔技术及3D堆叠技术，可以有效克服传统键合引线互联法带来的面积和体积消耗大、集成度低的缺点，为AMRHall混合三轴磁场传感器的微小型化和商业化应用带来可能。
本发明授权3D混叠结构的三维磁场传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种3D混叠结构的三维磁场传感器，其特征在于，所述三维磁场传感器包括：外围集成电路单元和三个磁敏感单元，所述外围集成电路单元与三个磁敏感单元在垂直方向上堆叠设置； 三个磁敏感单元包括：基于霍尔效应的Z轴磁敏感单元和基于各向异性磁阻效应的X轴磁敏感单元及Y轴磁敏感单元；三个磁敏感单元与外围集成电路单元通过硅通孔导线相互电连接； 所述Z轴磁敏感单元设置在X轴磁敏感单元、Y轴磁敏感单元以及外围集成电路单元下方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;西安交通大学，其通讯地址为：102200 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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