暨南大学万磊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉暨南大学申请的专利一种高边模抑制比的片上声光调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116300156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310017200.7，技术领域涉及：G02F1/125；该发明授权一种高边模抑制比的片上声光调制器是由万磊;温美逊;周文丰;江建滔;黄继莹设计研发完成，并于2023-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高边模抑制比的片上声光调制器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高边模抑制比的片上声光调制器，包括：绝缘衬底以及设置在绝缘衬底上的铌酸锂基片，所述铌酸锂基片上异构集成硫系光波导并设置叉指换能器，所述叉指换能器包括若干偶数对叉指电极。硫系光波导为多模RT跑道型光波导。本发明结合硫系玻璃材料的声光特性、铌酸锂薄膜的压电效应，利用微环谐振器多模波导结构，将叉指换能器激发的声表面波以及光波能量充分束缚在波导结构中，经过声光相互作用产生的边带信号在微环结构中满足相位匹配条件下可实现单一边带的放大，抑制其他边模，进而实现高效、高抑制比的声光调制。本发明提供的高边模抑制比的片上声光调制器具有调制效率高、成本低、易实现片上大规模集成的特点。
本发明授权一种高边模抑制比的片上声光调制器在权利要求书中公布了：1.一种高边模抑制比的片上声光调制器，其特征在于，包括：绝缘衬底以及设置在绝缘衬底上的铌酸锂基片，所述铌酸锂基片上异构集成硫系光波导并设置叉指换能器，所述叉指换能器包括若干偶数对叉指电极； 所述硫系光波导为多模RT跑道型光波导；所述多模RT跑道型光波导由单模定向耦合器或滑轮耦合器和高Q多模微环谐振腔组成；所述单模定向耦合器或滑轮耦合器的波导宽度为200nm～2μm； 所述叉指换能器为双向电极结构，用于激发特定频率的声波，所述叉指换能器以设定倾斜角度置于所述多模RT跑道型光波导的两臂之间，且所述叉指换能器的中心与所述多模RT跑道型光波导的两臂之间的距离相同；所述特定频率的声波为0.1GHz～10GHz的瑞利声表面波；所述设定倾斜角度为2°～30°。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人暨南大学，其通讯地址为：510000 广东省广州市天河区黄埔大道西601号暨南大学；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励