京东方科技集团股份有限公司李菲菲获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种阵列基板、显示面板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314020B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310092547.8，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权一种阵列基板、显示面板及其制备方法是由李菲菲;黄杰;宁策;李正亮;胡合合;姚念琦;赵坤;贺家煜设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阵列基板、显示面板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阵列基板、显示面板及其制备方法，方法包括：在衬底上依次形成栅极和栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成有源区，所述有源区采用氧化物半导体材料，所述有源区中掺杂有作为正电中心的电子捕获元素；在所述有源区上形成源漏极，并在所述源漏极上形成绝缘保护层。通过本发明提供了一种光照稳定性更好、性能更优的阵列基板、显示面板及其制备方法。
本发明授权一种阵列基板、显示面板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上依次形成栅极和栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层上形成有源区，所述有源区采用氧化物半导体材料，所述有源区中掺杂有作为正电中心的电子捕获元素，所述电子捕获元素在所述有源区中的掺杂原子比在20%以内，其中，所述有源区为器件沟道区； 在所述有源区上形成金属层并执行退火工艺，在执行所述退火工艺的过程中，将所述有源区的底部及内部的缺陷吸引到表面，使得表面的氧空位浓度升高和缺陷态增加形成缺陷态层，以及使得所述有源区的底部和内部的缺陷态浓度降低； 通过去除所述金属层将所述有源区表面的所述缺陷态层一并去除； 在所述有源区上形成源漏极，并在所述源漏极上形成绝缘保护层。
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