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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种光电传感器组件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314231B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310345055.5，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种光电传感器组件及电子设备是由殷新社;赵辉设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光电传感器组件及电子设备在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种光电传感器组件及电子设备。所述光电传感器组件包括基板、位于所述基板一侧的至少一个光电传感器组；所述光电传感器组包括至少两个光电传感器，所述光电传感器包括沟道区，至少两个光电传感器接收光线的颜色不同，所述至少两个光电传感器的沟道区的尺寸不同。

本发明授权一种光电传感器组件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种光电传感器组件，其特征在于，包括： 基板； 位于所述基板一侧的至少一个光电传感器组；所述光电传感器组包括至少两个光电传感器，所述光电传感器包括沟道区，至少两个光电传感器接收光线的颜色不同，所述至少两个光电传感器的沟道区的尺寸不同； 所述光电传感器组包括接收第一颜色光线的第一光电传感器、接收第二颜色光线的第二光电传感器、接收第三颜色光线的第三光电传感器和接收第四颜色光线的第四光电传感器； 所述光电传感器组件还包括位于所述光电传感器组远离所述基板一侧的光阻层；所述光阻层包括透光图案、第一光阻图案、第二光阻图案以及第三光阻图案，所述透光图案与所述第一光电传感器在所述基板的正投影存在交叠，所述第一光阻图案与所述第二光电传感器在所述基板的正投影存在交叠，所述第二光阻图案与所述第三光电传感器在所述基板的正投影存在交叠，所述第三光阻图案与所述第四光电传感器在所述基板的正投影存在交叠，所述第一颜色光线为全可见光波段透过的光线；所述第二颜色光线为经由所述第一光阻图案透过的光线；所述第三颜色光线为经由所述第二光阻图案透过的光线；所述第四颜色光线为经由所述第三光阻图案透过的光线； 所述第一光电传感器包括第一沟道区，所述第二光电传感器包括第二沟道区，所述第三光电传感器包括第三沟道区，所述第四光电传感器包括第四沟道区，所述第一沟道区的厚度HW、所述第二沟道区的厚度HR、所述第三沟道区的厚度HG和所述第四沟道区的厚度HB相同，所述第一沟道区在第一方向的长度LW、所述第二沟道区在第一方向的长度LR、所述第三沟道区在第一方向的长度LG和所述第四沟道区在第一方向的长度LB相同，所述第一沟道区在第二方向上的长度WW、所述第二沟道区在第二方向上的长度WR、第三沟道区在第二方向上的长度WG和所述第四沟道区在第二方向上的长度WB中至少两个不相同；所述第一方向与所述第二方向不同，且所述第一方向和所述第二方向所构成的平面与所述基板所在的平面相平行； 所述光电传感器组满足公式：WWTWEQEWS=WRTREQERS=WGTGEQEGS=WBTBEQEBS； 其中，TW为透光图案的透过率，TR为第一光阻图案的透过率，TG为第二光阻图案的透过率，TB为第三光阻图案的透过率，EQEWS为第一沟道区的单位面积的光谱激励转换效率，EQERS为第二沟道区的单位面积的光谱激励转换效率，EQEGS为第三沟道区的单位面积的光谱激励转换效率；EQEBS为第四沟道区的单位面积的光谱激励转换效率； 或者，满足公式：WWW=WRR=WGG=WBB； 其中，EQEW为第一沟道区的光谱激励转换效率，EQER为第二沟道区的光谱激励转换效率，EQEG为第三沟道区的光谱激励转换效率；EQEB为第四沟道区的光谱激励转换效率； 或者，所述第一沟道区在第一方向的长度LW、所述第二沟道区在第一方向的长度LR、所述第三沟道区在第一方向的长度LG和所述第四沟道区在第一方向的长度LB相同，所述第一沟道区在第二方向上的长度WW、所述第二沟道区在第二方向上的长度WR、所述第三沟道区在第二方向上的长度WG和所述第四沟道区在第二方向上的长度WB相同，所述第一沟道区的厚度HW、所述第二沟道区的厚度HR、所述第三沟道区的厚度HG和所述第四沟道区的厚度HB中至少两个不相同； 所述光电传感器组满足公式：TWEQEWSHW=TREQERSHR=TGEQEGSHG=TBEQEBSHB； 其中，EQEWSHW为第一沟道区的厚度为HW的单位面积的光谱激励转换效率；EQERSHR为第二沟道区的厚度为HR的单位面积的光谱激励转换效率；EQEGSHG为第三沟道区的厚度为HG的单位面积的光谱激励转换效率；EQEBSHB为第四沟道区的厚度为HB的单位面积的光谱激励转换效率； 或者，满足公式：HW=RHR=GHG=BHB； 其中，EQEWHW为第一沟道区的厚度为HW的光谱激励转换效率；EQERHR为第二沟道区的厚度为HR的光谱激励转换效率；EQEGHG为第三沟道区的厚度为HG的光谱激励转换效率；EQEBHB为第四沟道区的厚度为HB的光谱激励转换效率。

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