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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种抗单粒子的SiC UMOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314326B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310021733.2，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种抗单粒子的SiC UMOSFET器件是由汤晓燕;张男;宋庆文;袁昊;陶静雯;张玉明设计研发完成，并于2023-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗单粒子的SiC UMOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种抗单粒子的SiCUMOSFET器件，包括：衬底；漏极设置在衬底下方；N‑漂移区位于衬底上方；第一P+区位于N‑漂移区的内部；第二P+区位于N‑漂移区的内部；P型基区设置在N‑漂移区的内部，位于第一P+区与第二P+区之间；N+源区位于第一P+区、P型基区和第二P+区的上表面；栅槽穿过N+源区且与P型基区相邻设置；栅极位于栅槽内部，栅极与栅槽之间填充有栅介质；源极设置在第一源槽的表面，第二源槽的表面，以及N+源区的两侧面和其部分上表面；栅电极位于栅极上。本发明的栅槽底部栅极氧化层厚度大、栅槽底部半包并进行了源槽刻蚀，实现了过剩空穴的快速抽取，提高了器件的单粒子可靠性。

本发明授权一种抗单粒子的SiC UMOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子的SiCUMOSFET器件，其特征在于，包括： 衬底1； 漏极2，设置在所述衬底1下方； N-漂移区3，位于所述衬底1上方； 第一P+区4，位于所述N-漂移区3的内部； 第二P+区10，位于所述N-漂移区3的内部，且与所述第一P+区4间隔设置；所述第一P+区4形成第一源槽，所述第二P+区10形成第二源槽； P型基区5，设置在所述N-漂移区3的内部，位于所述第一P+区4与所述第二P+区10之间且与所述第一P+区4相邻设置； N+源区6位于所述第一P+区4、所述P型基区5和所述第二P+区10的上表面； 栅槽8，穿过所述N+源区6且与所述P型基区5相邻设置，栅槽8的底部位于所述N-漂移区3和所述第二P+区10的内部，所述第二P+区10半包围所述栅槽8； 栅极802，位于所述栅槽8内部，所述栅极802与所述栅槽8之间填充有栅介质801，位于所述栅极802下方的所述栅介质801的厚度大于位于所述栅极802两侧的所述栅介质801的厚度； 源极7，设置在所述第一源槽的表面，所述第二源槽的表面，以及所述N+源区6的两侧面和其部分上表面； 所述源极7与所述第一P+区4、所述第二P+区10以及所述N+源区6的界面欧姆接触； 栅电极9，位于所述栅极802上； 所述栅槽8的远离所述第一P+区4一侧的侧壁与所述第二P+区10内部的靠近所述第一P+区4一侧的侧壁之间的距离为所述栅槽8宽度的一半；所述第一源槽的槽内底和所述第二源槽的槽内底，均与所述栅槽8的槽内底水平等高。

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