绍兴中芯集成电路制造股份有限公司田宇获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利异质结双极晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344585B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310345435.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权异质结双极晶体管及其制造方法是由田宇设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本异质结双极晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种异质结双极晶体管及其制造方法，包括依次层叠的集电区层、基区层和发射区层，所述基区层包括含砷镓的能带层，所述含砷镓的能带层的能带低于砷化镓材料的能带，从而能够降低异质结双极晶体管的能带；进一步的，所述基区层还包括第一含砷镓的过渡层，通过所述第一含砷镓的过渡层以实现晶格常数的过渡，可以避免与集电区层之间的晶格失配；进一步的，所述基区层还包括第二砷化镓层，通过所述第二砷化镓层可以实现与发射区层之间的晶格匹配。在本发明提供的异质结双极晶体管及其制造方法中，能够得到低能带、高质量的异质结双极晶体管。
本发明授权异质结双极晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结双极晶体管，其特征在于，所述异质结双极晶体管包括自下而上依次层叠的： 砷化镓衬底； 集电区层，所述集电区层包括第一砷化镓层，所述第一砷化镓层为第一导电类型； 基区层，所述基区层包括： 第一含砷镓的过渡层，所述第一含砷镓的过渡层为第一导电类型或者第二导电类型，以实现晶格常数的过渡； 含砷镓的能带层，所述含砷镓的能带层为第二导电层类型，所述含砷镓的能带层的能带低于砷化镓材料的能带；以及， 第二砷化镓层，所述第二砷化镓层为第二导电层类型；以及， 发射区层，所述发射区层包括磷化铟镓层，所述磷化铟镓层为第一导电类型； 所述基区层还包括：位于所述含砷镓的能带层和所述第二砷化镓层之间的第二含砷镓的过渡层、第三砷化镓层以及第三含砷镓的过渡层，所述第二含砷镓的过渡层、所述第三砷化镓层以及所述第三含砷镓的过渡层均为第二导电类型； 所述含砷镓的能带层、所述第二含砷镓的过渡层、所述第三砷化镓层以及所述第三含砷镓的过渡层为周期性生长，生长周期介于5~20之间。
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