中国科学院半导体研究所班德超获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利半导体激光器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116365362B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310257535.6，技术领域涉及：H01S5/12；该发明授权半导体激光器及制备方法是由班德超;王健;金亚;徐长达;陈少康;白金花;李明;祝宁华设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光器及制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体激光器及制备方法，半导体激光器包括衬底；负电极设置在衬底的底面；有源层设置在衬底的顶面；光栅层和波导层均设置在有源层上；脊波导设置在光栅层和波导层上；第一正电极和第二正电极均设置在脊波导上，第二正电极位于光栅层的上方，第二正电极被构造成施加交流电和调整半导体激光器工作状态的直流电。在半导体激光器上设置部分光栅结构、设置第一正电极下面的光反馈结构、减少第二电极的长度，使得半导体激光器在实现较高带宽的同时提高了激光器的单模率和抗反射特性；设置第一正电极下面的光反馈结构，便于半导体激光器的解理和散热；采用同一有源层能够简化外延生长工艺，降低了半导体激光器的成本，提高了成品率。
本发明授权半导体激光器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，其特征在于，包括： 衬底； 负电极，设置在所述衬底的底面； 有源层，设置在所述衬底的顶面； 光栅层和至少一个波导层，均设置在所述有源层上； 脊波导，设置在所述光栅层和所述波导层上； 第一正电极和第二正电极，均设置在所述脊波导上，其中，仅所述第二正电极位于所述光栅层的上方，所述第二正电极被构造成施加用于传输信息的交流电和用于调整所述半导体激光器工作状态的直流电，所述第二正电极的长度大于所述光栅层的长度。
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