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华中科技大学樊宽军获国家专利权

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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种超短电子束团的测量方法、装置及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116381767B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310198108.5,技术领域涉及:G01T1/29;该发明授权一种超短电子束团的测量方法、装置及系统是由樊宽军;徐阳;李小飞;周峰;胡琛;鲍进设计研发完成,并于2023-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

一种超短电子束团的测量方法、装置及系统在说明书摘要公布了:本发明公开了一种超短电子束团的测量方法、装置和系统,该方法使用太赫兹同时驱动第一谐振器和第二谐振器,以分别在其间隙处产生角频率相等且方向相互正交的第一偏转电场和第二偏转电场;以电子束团的前进方向为z轴,使其依次通过所述第一谐振器和第二谐振器的间隙,经第一偏转电场、第二偏转电场后,到达探测器;根据所述投影束斑的大小确定对应的电子束团的长度,根据两个束斑中心在y轴方向的间距确定对应的两个电子束团之间的间距。通过采用带有缝隙结构的谐振腔通过谐振增强入射的太赫兹电场提供高梯度的偏转电场,不需要很强的太赫兹源就可以产生场强为数百兆伏每米的偏转场,能够在降低成本的同时实现对超短电子束团的精确测量。

本发明授权一种超短电子束团的测量方法、装置及系统在权利要求书中公布了:1.一种超短电子束团的测量方法,其特征在于,包括: S1,使用太赫兹同时驱动第一谐振器和第二谐振器,以分别在其间隙处产生角频率相等且方向相互正交的第一偏转电场和第二偏转电场; S2,以电子束团的前进方向为z轴,使其依次通过所述第一谐振器和第二谐振器的间隙,经第一偏转电场、第二偏转电场后,到达探测器; 其中,所述第一偏转电场用于对所述电子束团施加y方向的偏转力,使其在y轴方向上发生偏转;所述第二偏转电场用于对所述电子束团施加横向x轴方向的偏转力,以使其在所述探测器上的投影束斑沿x轴方向分离; S3,根据所述投影束斑的大小S及公式确定对应的电子束团的长度ΔT;根据两个束斑中心在y轴方向的间距Δy及公式确定对应的两个电子束团之间的间距Δt; 其中,ω为偏转电场的角频率,为等效偏转电场强度,e为元电荷,P为电子束团的动量,D为第二谐振器到探测屏的距离,Tp为电子束团穿过第一谐振器间隙的时间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学,其通讯地址为:430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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