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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种抗单粒子烧毁的氮化镓基准垂直沟槽MOSFET器件结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116387344B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310414231.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种抗单粒子烧毁的氮化镓基准垂直沟槽MOSFET器件结构及其制造方法是由何佳琦;刘志宏;赵雪利;许淑宁;危虎;邢伟川;侯松岩;冯欣;周瑾;张进成;郝跃设计研发完成，并于2023-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗单粒子烧毁的氮化镓基准垂直沟槽MOSFET器件结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种抗单粒子烧毁的氮化镓基准垂直沟槽MOSFET器件结构及其制造方法，属于半导体功率器件领域。该结构包括：衬底层、缓冲层、漏极重掺杂N+型氮化镓层、低掺杂N‑型氮化镓漂移层、栅下P型氮化镓区、栅下金属、P型基区层、源极重掺杂N+型氮化镓层、P型基区接触金属、栅介质、钝化层、栅电极、源漏电极以及互联金属层。本发明以氮化镓基准垂直结构MOSFET器件为基础，在栅极沟槽底部添加P型氮化镓区域，制备欧姆接触电极将其与源电极连接，在为单粒子入射产生的空穴提供额外的泄露路径，从而降低寄生BJT开启的可能性，提升器件的抗辐射性能，从而使器件更好的适应宇航环境。

本发明授权一种抗单粒子烧毁的氮化镓基准垂直沟槽MOSFET器件结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子烧毁的氮化镓基准垂直沟槽MOSFET器件结构，包括依次设置的衬底层1、复合缓冲层2、漏极重掺杂N+型氮化镓层3、低掺杂N-型氮化镓漂移层4、P型基区层7和源极重掺杂N+型氮化镓层8，漏电极14设置在所述漏极重掺杂N+型氮化镓层3远离所述复合缓冲层2的一面，其特征在于，在所述低掺杂N-型氮化镓漂移层4远离所述漏极重掺杂N+型氮化镓层3的一面，设置有与栅极沟槽对应的栅下P型氮化镓区5，所述栅极沟槽的槽底设置有栅下金属6，所述栅下金属6设置在栅下P型氮化镓区5的表面或者嵌入所述栅下P型氮化镓区5形成欧姆接触，槽壁设置栅介质11；所述源极重掺杂N+型氮化镓层8中设置与所述P型基区层7接触的P型基区接触金属9，所述栅介质11上设置栅电极12，所述P型基区接触金属9和所述源极重掺杂N+型氮化镓层8均与源电极10接触，所述源电极10与所述栅下金属6通过互联金属层15进行互联。

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