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重庆邮电大学叶志红获国家专利权

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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利PCB电磁泄漏作用传输线的电磁耦合时域分析方法和系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116436546B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310443266.2,技术领域涉及:H04B17/345;该发明授权PCB电磁泄漏作用传输线的电磁耦合时域分析方法和系统是由叶志红;鲁唱唱;王思豪;张玉设计研发完成,并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

PCB电磁泄漏作用传输线的电磁耦合时域分析方法和系统在说明书摘要公布了:本发明公开了PCB电磁泄漏作用传输线的电磁耦合时域分析方法和系统,涉及电磁干扰分析领域,其技术方案要点是:构建偶极子阵列与PCB电磁泄漏场之间的映射关系,逆求解所述映射关系,得到PCB电磁泄漏场的等效偶极子阵列模型;利用FDTD方法模拟所述等效偶极子阵列模型的电磁辐射,以得到等效偶极子阵列的空间辐射场分布,根据所述空间辐射场分布构建PCB电磁泄漏作用传输线的传输线方程;利用FDTD方法的中心差分格式对所述传输线方程进行差分离散,迭代求解得到PCB泄漏场在传输线上耦合产生的电压与电流的瞬态响应。本发明实现空间电磁场和传输线瞬态响应的协同计算,大大提高了分析泄漏场作用传输线的电磁耦合效率。

本发明授权PCB电磁泄漏作用传输线的电磁耦合时域分析方法和系统在权利要求书中公布了:1.一种PCB电磁泄漏作用传输线的电磁耦合时域分析方法,其特征在于,方法包括: 构建偶极子阵列与PCB电磁泄漏场之间的映射关系,逆求解所述映射关系,得到PCB电磁泄漏场的等效偶极子阵列模型;其中,构建偶极子阵列与PCB电磁泄漏作用传输线的泄漏场之间的映射关系,包括:获取PCB电磁泄漏的近场信息,其中采用近场扫描技术测量PCB电磁泄漏的近场扫描点,以得到近场信息;将所述PCB电磁泄漏的辐射源通过偶极子阵列进行等效,由偶极子阵列的辐射场替代PCB电磁泄漏产生的近场信息;将偶极子阵列在空间任意点的辐射场分别与阵元的极矩和磁矩的关系矩阵作为偶极子阵列与PCB电磁泄漏场之间的映射关系,其中所述偶极子阵列在空间任意点的辐射场是由偶极子阵列本身及其镜像源共同辐射产生; 利用FDTD方法模拟所述等效偶极子阵列模型的电磁辐射,以得到等效偶极子阵列的空间辐射场分布,根据所述空间辐射场分布构建PCB电磁泄漏作用传输线的传输线方程; 利用FDTD方法的中心差分格式对所述传输线方程进行差分离散,迭代求解得到PCB泄漏场在传输线上耦合产生的电压与电流的瞬态响应。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人重庆邮电大学,其通讯地址为:400000 重庆市南岸区南山街道崇文路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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