厦门大学尹君获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116465912B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310175668.9，技术领域涉及：G01N23/046；该发明授权一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法是由尹君;叶晓芳;康闻宇;姜伟;康俊勇设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法，将碳化硅晶体置于计算机层析扫描CT的载物台上，通过特定参数下的计算机层析扫描结合图像衬度，以及形貌特征的鉴别，可对碳化硅晶体内典型缺陷实现快速无损地检测，直接获取被测晶锭不同断层存在的缺陷形貌、密度分布，以及缺陷随生长过程的演化情况，可显著提高碳化硅晶体缺陷的可视化程度，无需特殊制样便可较为简便快速地分析晶体的质量。
本发明授权一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法，其特征在于，所述方法包括： S1.对碳化硅单晶进行表面清洁处理； S2.将碳化硅单晶置于计算机层析扫描的载物台上，射线发生器发出的X射线依次经过准直器、碳化硅单晶后进入探测器，探测器接收扫描层的透射X射线产生信号，并通过计算机重构成像，得到碳化硅单晶全片或局部的断层扫描图像；所述射线发生器是微焦高能X射线管，X射线光源的加速电压范围为200~350kV，光源焦点尺寸≤10微米，曝光时间≥1000ms，空间分辨率≤80微米； S3.依据碳化硅单晶内不同缺陷部位相较于理想晶体对X射线吸收散射的差异，进而在断层扫描图像中产生对比度和形貌特征的差异，从而实现缺陷类型的鉴别，所述缺陷类型包括微管缺陷、碳包裹物缺陷、多型或晶型夹杂缺陷、六方空洞缺陷和层错缺陷；微管缺陷在图像中表现为较亮且具有沿晶轴方向延伸的白点；碳包裹物缺陷表现为分布于晶体内部特定位置和不随断层生长方向变化的黑点；多晶区域表现为区域性的和随晶体生长方向演化的浅白区块；晶体正常区域的单晶和无缺陷位置表现为均匀的灰色相。
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