中国科学院半导体研究所彭轩然获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利表面等离激元激光器微腔获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116487992B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310511939.3，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权表面等离激元激光器微腔是由彭轩然;刘晶;康亚茹;李兆峰;颜伟;刘孔;王晓晖;毛旭;杨富华设计研发完成，并于2023-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本表面等离激元激光器微腔在说明书摘要公布了：本公开提供一种表面等离激元激光器微腔，包括：半导体纳米线、多个金属椭球和半导体基板；其中，多个金属椭球以一维阵列形式排布在半导体基板表面，每个金属椭球半埋设于半导体基板中，半导体纳米线覆盖在多个金属椭球上且包覆每个金属椭球的一部分；其中，特定频率的电磁波在一维阵列形式排布的多个金属椭球的两端无法传播，在一维阵列形式排布的多个金属椭球的中间振荡。该表面等离激元激光器能够实现选模，具有低损耗，高品质因子等综合性能。
本发明授权表面等离激元激光器微腔在权利要求书中公布了：1.一种表面等离激元激光器微腔，其特征在于，包括： 半导体纳米线1、多个金属椭球2和半导体基板3； 其中，所述多个金属椭球2以一维阵列形式排布在所述半导体基板3表面，每个金属椭球2半埋设于所述半导体基板3中，所述半导体纳米线1覆盖在所述多个金属椭球2上且包覆每个金属椭球2的一部分； 其中，特定频率的电磁波在一维阵列形式排布的所述多个金属椭球2的两端无法传播，在一维阵列形式排布的所述多个金属椭球2的中间振荡。
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