长春理工大学中山研究院付秀华获国家专利权
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龙图腾网获悉长春理工大学中山研究院申请的专利红外薄膜器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116500707B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310100947.9，技术领域涉及：G02B1/115；该发明授权红外薄膜器件及其制备方法是由付秀华;刘瑞奇;王奔;潘永刚设计研发完成，并于2023-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本红外薄膜器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种红外薄膜器件及其制备方法，属于光学薄膜技术领域，具体包括惰性基底；长波通膜系，沉积在所述惰性基底的一表面，所述长波通膜系为非等厚周期膜系，周期膜系的结构表达为x0.8L1H1L13H10.8L13，其中，H1为高折射率材料ZnS，L1为低折射率材料Yb‑B，Yb‑B为YbF3与Ca的混合薄膜材料，x为膜厚度为λ4的倍数；以及增透膜系，沉积在所述惰性基底的另一表面，基础膜系的结构为Sub|H2L22M2|Air进行设计，其中，H2为高折射率材料Ge，L2为中折射率材料ZnS，M2为低折射率材Yb‑B，Yb‑B为YbF3与Ca的混合薄膜材料，所述长波通膜系、所述增透膜系与空气接触的表面面型和所述惰性基底的表面面型相近。通过本申请的处理方案，降低应力对膜层以及器件的影响，提高膜层强度。
本发明授权红外薄膜器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种红外薄膜器件，其特征在于，包括： 惰性基底； 长波通膜系，沉积在所述惰性基底的一表面，所述长波通膜系为非等厚周期膜系，周期膜系的结构表达为x0.8L1H1L13H10.8L13，其中，H1为高折射率材料ZnS，L1为低折射率材料Yb-B，Yb-B为YbF3与Ca的混合薄膜材料，x为膜厚度为λ4的倍数；以及 增透膜系，沉积在所述惰性基底的另一表面，基础膜系的结构为Sub|H2L22M2|Air进行设计，其中，H2为高折射率材料Ge，L2为中折射率材料ZnS，M2为低折射率材Yb-B，Yb-B为YbF3与Ca的混合薄膜材料，其中，Sub代表基底，Air代表空气； 所述长波通膜系、所述增透膜系与空气接触的表面面型和所述惰性基底的表面面型相近。
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