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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利改善套刻精度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116520646B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310450454.8，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权改善套刻精度的方法是由姜冒泉;金乐群;李玉华;陈建;李锦茹设计研发完成，并于2023-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善套刻精度的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善套刻精度的方法，提供晶圆，在晶圆上形成有前层结构以及位于前层结构上的当层结构，前层结构上形成有前层套刻标记；在前层结构上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层形成刻蚀图案以及当层套刻标记，之后进行显影后检测，根据前层套刻标记和当层套刻标记获取第一误差；以刻蚀图案为掩膜刻蚀当层结构，用以形成刻蚀后图形，之后进行刻蚀后检测，根据刻蚀后图形获取第二误差，第二误差为刻蚀的偏移量；通过第一、二误差获取补偿值，光刻机的套刻精度补正系统利用补偿值修正当前批次或下一批次晶圆的套刻精度。本发明基于刻蚀后量测特征图形关键尺寸的差异建模表征套刻标记，对当层套刻标记反馈进行补偿，改善了图层套刻精度。

本发明授权改善套刻精度的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善套刻精度的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供晶圆，在所述晶圆上形成有前层结构以及位于所述前层结构上的当层结构，所述前层结构上形成有前层套刻标记； 步骤二、在所述前层结构上形成光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层形成刻蚀图案以及当层套刻标记，之后进行显影后检测，根据所述前层套刻标记和所述当层套刻标记的位置之差获取第一误差； 步骤三、以所述刻蚀图案为掩膜刻蚀所述当层结构，用以形成刻蚀后图形，之后进行刻蚀后检测，根据所述刻蚀后图形获取第二误差，所述第二误差为刻蚀导致的偏移量； 步骤四、通过所述第一误差和所述第二误差获取补偿值，光刻机的套刻精度补正系统利用所述补偿值修正当前批次或下一批次晶圆的套刻精度，其包括：获取所述刻蚀后图形的关键尺寸数据，根据所述关键尺寸数据建立刻蚀后图形模型，判断所述刻蚀后图形模型与所述关键尺寸数据的相关度，所述相关度处于预设范围内时，则计算出所述补偿值；所述光刻机的套刻精度补正系统利用所述补偿值修正当前批次或下一批次晶圆的套刻精度； 基于刻蚀后量测特征图形关键尺寸的差异建模表征套刻误差，对所述当层套刻标记反馈进行补偿，以改善图层套刻精度。

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