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龙图腾网获悉滁州捷泰新能源科技有限公司申请的专利一种双掺杂层TOPCon电池结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116581181B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310624489.9，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种双掺杂层TOPCon电池结构及其制备方法是由金竹;毛卫平;杨阳;叶风;付少剑;刘建华;董玉良;潘利民设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双掺杂层TOPCon电池结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种双掺杂层TOPCon电池结构及其制备方法，涉及电池加工制备技术领域。所述双掺杂TOPCon电池结构，包括单晶硅片，依次设置在单晶硅片正面的扩散层、钝化层、正面减反射层、正面金属电极，以及依次设置在单晶硅片背面的隧穿层、掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极，所述掺杂层包括位于硅片正面的第一扩散掺杂层和位于第一扩散掺杂层与正面金属电极之间的第二外延掺杂层。本发明克服了现有技术的不足，既能保证金属接触区的P型掺杂层厚度，有效屏蔽金属区复合，并减小金属区接触电阻；同时又能降低非金属区的掺杂浓度和结深，减小非金属区俄歇尔复合以及寄生光吸收；因此，能有效提升TOPCon电池转化效率。

本发明授权一种双掺杂层TOPCon电池结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双掺杂层TOPCon电池结构，包括单晶硅片1，依次设置在单晶硅片1正面的掺杂层2、钝化层3、正面减反射层4、正面金属电极5，以及依次设置在单晶硅片1背面的隧穿层6、掺杂多晶硅层7、背面减反射层8和背面金属电极9，其特征在于：所述掺杂层包括位于硅片正面的第一扩散掺杂层和位于第一扩散掺杂层2-1与正面金属电极之间的第二外延掺杂层2-2； 所述第一扩散掺杂层2-1为BCl3扩散形成的p型掺杂层，其掺杂浓度0.1e19~1e19cm-3，厚度在0.1-1um，所述第二外延掺杂层2-2为选择性外延生长的硼掺杂的p型晶体硅层，其掺杂浓度1e19~1e20cm-3，厚度在0.5-1.5um；其掺杂浓度大于第一扩散掺杂层2-1； 所述双掺杂层TOPCon电池结构的制备方法包括以下步骤： S1、制绒：利用酸碱化学品，消除硅片表面有机沾污和金属杂质，在硅片表面形成表面织构，增加太阳光的吸收减少反射； S2、硼扩散：采用BCl3低压扩散形成硼掺杂的第一扩散掺杂层，扩散温度950-1050℃，方阻150-300Ω□；其掺杂浓度0.1e19~1e19cm-3，厚度在0.1-1um； S3、BSG：单面HF刻蚀，去除背面BSG； S4、背面刻蚀：去除背面寄生扩散形成的PN结，防止边缘漏电； S5、LPCVD：原位氧化生成隧穿氧化层，并沉积本征非晶硅层； S6、磷扩散：对背面非晶硅和非晶氧化硅进行磷扩散掺杂，并将其由非晶态转化成结晶态； S7、PSG：单面HF刻蚀，去除扩散后正面绕镀多晶硅表面PSG； S8、正面刻蚀：采用碱溶液刻蚀的方式去除所述绕镀多晶硅层，采用氢氟酸清洗去除所述正面的BSG及所述背面的PSG； S9、CVD掩膜：采用化学气相沉积方式在背面生长一层厚度为10-25nm的SiNX掩膜； S10、正面LCO：采用激光开膜方式对正面金属区下面的SiNX掩膜阻挡层进行刻蚀开槽，在开槽的背面金属区下面留下一层薄的氧化硅层； S11、HF清洗：采用HF清洗去除正面金属区下方的氧化硅层； S12、选择性外延沉积：采用化学气相沉积方式在SiNx开槽处的扩散掺杂层上选择性外延生长掺杂层；未开槽区受SiNX掩膜层阻挡，由于电化学势的差异，不会发生外延生长； S13去掩膜清洗：采用湿化学方式去除硅片表面的SiNx掩膜层，并对硅片表面进行清洗； S14、ALD：以ALD原子层沉积方式在基底正面沉积一层致密的AlOx薄膜； S15、正面PECVD：以PECVD的方式在基底正面沉积氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种叠层膜； S16、背面PECVD：以PECVD的方式在基底背面沉积氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种叠层膜； S17、印刷烧结光注入：正面印刷负电极AgAl浆，背面印刷电极Ag浆；共烧结，形成良好的欧姆接触；光注入修复电池体内和表面缺陷。

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