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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利一种具有新型馈电结构的宽带低剖面双极化Vivaldi天线单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116581538B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310656586.6，技术领域涉及：H01Q1/50；该发明授权一种具有新型馈电结构的宽带低剖面双极化Vivaldi天线单元是由吴文;周松照;宗志园;钱嵩松设计研发完成，并于2023-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有新型馈电结构的宽带低剖面双极化Vivaldi天线单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有新型馈电结构的宽带低剖面双极化Vivaldi天线单元，包括金属地板、介质馈电层、金属天线单元以及两个射频连接器，所述金属天线单元包括两个互相垂直的单极化单元，且两个单极化单元相互连接，连接处共用一根金属柱，两个单极化单元结构相同，所述介质馈电层设置在金属地板与金属天线单元之间，所述两个射频连接器设置在金属地板中，且两个射频连接器的探针穿过介质馈电层后分别为两个单极化单元馈电。本发明中的馈电结构易于焊接，可以保证射频连接器与天线结构的稳定连接，且结构简单，易于加工，具有普适性。

本发明授权一种具有新型馈电结构的宽带低剖面双极化Vivaldi天线单元在权利要求书中公布了：1.一种具有新型馈电结构的宽带低剖面双极化Vivaldi天线单元，其特征在于，包括金属地板3、介质馈电层2、金属天线单元1以及两个射频连接器4；所述金属天线单元1包括两个互相垂直的单极化单元，单元结构相同，且两个单极化单元相互连接且共用金属柱，所述单极化单元包括渐变槽12、均匀直线槽13、匹配腔14和楔形尖顶11；所述介质馈电层2设置在金属地板3与金属天线单元1之间，所述两个射频连接器4穿过金属地板3；所述介质馈电层包括Teflon介质层22与矩形金属贴片21，所述矩形金属贴片21位于Teflon介质层22与均匀直线槽13上表面相接处，所述射频连接器4的探针穿过Teflon介质层22与矩形金属贴片21相连，矩形金属贴片21又与金属天线单元1的均匀直线槽相连以进行馈电，两个射频连接器4的探针穿过介质馈电层2为两个单极化单元一一对应馈电，所述匹配腔14为梯形，通过均匀直线槽13与渐变槽12相连；所述渐变槽12具有三段斜率不同的直线渐变线，且开口率由一端向另一端逐渐变大。

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