厦门大学;厦门通富微电子有限公司钟毅获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学;厦门通富微电子有限公司申请的专利一种改善凸块连接结构的耐湿热可靠性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116613081B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310709652.1，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权一种改善凸块连接结构的耐湿热可靠性的方法是由钟毅;刘中良;陈昇晖;简永幸;何腾腾;江彬彬设计研发完成，并于2023-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善凸块连接结构的耐湿热可靠性的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善凸块连接结构的耐湿热可靠性的方法，该方法包括以下步骤：1对用于半导体器件连接的凸块连接结构进行羟基化处理；2对凸块连接结构用有机化合物进行处理以形成自组装分子膜；3对凸块连接结构进行脱水处理；4采用反应离子刻蚀技术对自组装分子膜进行蚀刻。最终，在凸块连接结构表面，特别是底切结构处形成取向规整、排列紧密有序的自组装分子膜。本发明制备方法简单，形成的自组装分子膜具有高的稳定性和抗腐蚀性，能够有效地改善凸块在湿热环境下的可靠性和稳定性。
本发明授权一种改善凸块连接结构的耐湿热可靠性的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善凸块连接结构的耐湿热可靠性的方法，其特征在于，所述凸块连接结构设于半导体基底上，所述半导体基底的表面具有金属垫，所述凸块连接结构包括按序设于金属垫上的底部金属层和金属凸块；所述方法包括以下步骤： 1对凸块连接结构的表面进行羟基化处理； 2对羟基化处理后的凸块连接结构的表面进行有机化合物处理以形成自组装分子膜，其中有机化合物为有机硫化物、有机硅烷、脂肪酸、有机磷酸盐或者希夫碱中的至少一种； 3对凸块连接结构进行脱水处理； 4利用反应离子刻蚀技术去除覆盖在金属凸块上表面和侧面的自组装分子膜，保留的自组装分子膜覆盖底部金属层的侧壁以及与之相接的金属凸块的表面。
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