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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种多层拓扑非连续空心隙构钴基磁性粒子的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116673490B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310845962.6，技术领域涉及：B22F9/24；该发明授权一种多层拓扑非连续空心隙构钴基磁性粒子的制备方法是由李红;李洪洋;杨峰;郭家佑;刘颖;王超;牛特;周占明;蔡晴;徐雯琪设计研发完成，并于2023-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多层拓扑非连续空心隙构钴基磁性粒子的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多层拓扑非连续空心隙构钴基磁性粒子的制备方法，包括以下步骤：S1，制备初始骨架颗粒；S2，用Co对初始骨架颗粒进行包覆；S3，在S2颗粒上进行骨架的再次沉积；S4，再次包覆Co；S5，多层含纳米骨架颗粒的金属Co包覆层；S6，去除骨架金属，得到空心空隙结构Co粒子。本发明通过多层拓扑非连续空心隙构使得电磁波在材料空洞中发生多次反射吸收，有效提高了钴的微波吸收性能。

本发明授权一种多层拓扑非连续空心隙构钴基磁性粒子的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多层拓扑非连续空心隙构钴基磁性粒子的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，制备初始骨架颗粒： 利用去离子水配置一定浓度的金属盐溶液，并配置一定量的络合剂与金属盐溶液进行轻微搅拌混合，置于超声水浴锅中进行加热，并配置一定浓度的还原剂，在超声加搅拌的作用下将还原剂与盐溶液进行混合，开始反应，这个过程中利用络合剂控制反应速率，进而有效控制初始颗粒的粒径； S2，用Co对初始骨架颗粒进行包覆： 使用去离子水配置一定量的Co盐溶液，并配置一定量的络合剂与之混合，加热至一定温度后，将S1中颗粒分散到去离子水中并与Co盐溶液混合，再加入还原剂，在超声加搅拌的条件下等待Co沉积在金属骨架的表面形成第一层球壳； S3，在S2颗粒上进行骨架的再次沉积： 将一定浓度的金属盐溶液与络合剂混合，加热后与还原剂进行混合，超声加搅拌进行反应，通过络合剂及还原剂控制反应速率，在S2颗粒上形成非连续纳米金属相，具体为：将5g的七水合硫酸亚铁配置为100ml，将S2中颗粒溶液与硫酸亚铁溶液混合，加热至60℃后配置70ml的水合肼还原剂与之进行混合，在800HZmin的超声加100rmin的搅拌条件下，10min后停止反应，在Co壳上形成非连续纳米Fe粒子的沉积 S4，再次包覆Co： 配置一定浓度的Co盐溶液，加入一定浓度的络合剂混合，再将S3中含非连续纳米相的粒子用去离子水进行分散，将二者均匀混合，加入还原剂，通过控制反应速率及实现对含非连续纳米相的S3进行Co的再次包覆； S5，多层含纳米骨架颗粒的金属Co包覆层： 重复S3,S4步骤，根据设计要求制备多层连续含纳米骨架颗粒的金属Co包覆层； S6，去除骨架金属，得到空心空隙结构Co粒子： 配置一定浓度的酸溶液，将S5中得到的颗粒置入其中，缓慢搅拌下使酸腐蚀掉骨架金属，得到多层拓扑非连续空心隙构钴基磁性粒子。

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